三极管的压降（稳压二极管）

发布时间：2023-05-20

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三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

硅三极管的 B（基极）、E（发射极）电压降一般0.6伏到0.7伏之间。温度越高压降越低，反之相反。当然基极电流也有关，因为电流越大温度相应增高。C（集电极）、E（发射极）电压降是，由集电极发射极回路电阻决定电压。

三极管有三个状态：放大、截止和饱和。讨论三极管PN结的压降，应该先明确三极管的状态。

当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。

二极管正向压降及三极管发射结正向压降跟电源及体积均无大的关系，主要与半导体材料及掺杂浓度有关。此外电流越大，压降也稍大一些。

二极管的管压降绝对是根据其两端电压变化而变化的。所以晶体管手册上有关压降项下都会设定一个测量和工作电压值的。

你说的硅管压降0.7V是它的导通电压，也就是说外加电压大于0.7时它导通；但是二极管两端压降是跟通过它两端的电流有关，因为它的电阻是固定的。。

正向压降是由它的正向导通内阻决定的，但有一定的曲线，并不是像纯电阻一样的，即使是在导通状态下，也不都是一条直线。当电源电压变大时，电流升高，正向压降会相应升高一些。

深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。

饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。

饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES）很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE＝EC－ICRC，所以IBS＝ICS／β＝EC－UCES／β≈EC／βRC。

三极管的压降（稳压二极管）