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半导体电阻（半导体电阻率随温度变化怎么样的?）

发布时间：2023-08-08
阅读量：29

本文目录一览：

半导体的电阻

1、半导体材料的电阻率范围是在10^-3到10^7Ω·cm之间。这个范围相对于绝缘体和导体来说介于两者之间。纯净的半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge），具有较高的电阻率，在10^2到10^6Ω·cm之间。

2、半导体，导体，绝缘体是按电阻率来划分的。导体的电阻率在10^(-8)欧·米的数量级，绝缘体的电阻率大于10^7欧·米，半导体电阻率介于二者之间。

3、半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间： 室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因上角标暂不可用，暂用当前方法描述）。半导体的电导率是电阻率的倒数。

4、半导体的电阻率是有特殊的曲线，反向电压不导通，电阻很大。达到0.3或0.7伏正向电压，电阻很小。总之电阻随电压的变化而变化，但不能用欧姆定理计算。

半导体的电阻率有什么特性?

热敏特性 半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。

半导体的电阻率是有特殊的曲线，反向电压不导通，电阻很大。达到0.3或0.7伏正向电压，电阻很小。总之电阻随电压的变化而变化，但不能用欧姆定理计算。

半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。

半导体的电阻为什么随温度升高而降低

1、以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。

2、半导体随着温度升高，其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。

3、温度升高，自由电子运动加剧，电子在外电场作用下定向运动受到撞击阻碍的几率提高，所以电阻变大。

4、不能简单地说，半导体的电阻率是温度的单调递减函数。

5、半导体电阻率与温度的关系：决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。

6、具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。半导体受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。

半导体和电阻的区别

电阻是指导体内阻碍电流流动的能力，电阻率越大，阻碍电流的能力就越强。电导率的倒数就是电阻率。

电阻丝应变片与半导体应变片的机理是一样的，都是通过应变电阻效应。区别是前者是利用导体形变引起电阻的变化，后者利用半导体电阻率变化引起电阻的变化。

不同范畴的名词。半导体是材料按电阻率特性的一个分类。电阻是一个物理量，也可以是“电阻器”的简称，是元器件。半导体以外，其它常规材料可以分成导体和绝缘体。在未被击穿时，半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。

半导体电阻率的关系

半导体随着温度升高，其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。

以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。

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