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大功率开关电源频率比较低,这是因为频率越高铁芯损耗越大,还有开关管的开关损耗也是和频率成正比的,频率升高趋肤效应也使线路的等效电阻增加,所以频率过高反而需要更大的散热器,导致电源整体体积增大。
为什么温度越高开关损耗越大?因为温度越高就说明电阻越大,那么在使用的过程中消耗自然会越大,所以说温度越高,开光损耗越大。
在这段时间内,开关管的电流和电压有一个交叠区,会产生损耗,这个损耗即为开通损耗。以此类比,可以得出关断损耗产生的原因,这里不再赘述。
通态损耗。通态损耗是器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时,开关损耗会随之增大而成为器件功率损耗的主要因素。
1、一般开关电源的效率(220v-48v)大于80%,效率以80%计算,它的功耗就等于负载功率/80%。
2、MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程。在此期间,MOS管的损失是电压和电流的乘积,称为开关损失。
3、输入功率=输出功率/效率。比如,开关电源是12V29A的,负载是12V1A。12V29A是指的开关电源的额定输出功率,12V1A指的是实际消耗功率。浪费不浪费则取决于开关电源的效率和实际消耗的功率。
4、功耗,功率的损耗,指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标,指在单位时间中所消耗的能源的数量,单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。质量好的MOS管,开关的损失也比较少。
mos管一定要选好参数,mos管本身的压降损耗,还有它的一个导通损耗和断开损耗,如果开关频率提高,它的损耗就会加大。变压器一定要绕好,尽量多股绕,降低损耗。
开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中,MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法,一是缩短开关时间,二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。
通常情况下电力电子器件功率损耗主要是器件发热,谐波,容抗,感抗等原因造成器件功率损耗。
有功功率的损耗主要是摩擦和电路中电阻产生的热量,被消耗了。变压器的有功功率损耗包含铁损耗和铜损耗,前者因磁滞、涡流产生热量损耗;后者是线阻通过输出电流产生损耗。
电力电子器件功率损耗主要为通态损耗。电力电子器件的损耗主要包括有开通、关断、通态损耗。 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。
开关电源IC一般考虑的是效率,效率=P输出/P输入。
线路电流:电流值可以实测获得,也可以计算取得,单相220V线路电流=设备额定功率/220,三相线路电流=设备额定功率/额定电压/732/功率因素。
电损耗公式计算如下:电损耗=电流平方x电阻x时间其中,电流的单位是安培(A),电阻的单位是欧姆(Ω),时间的单位是秒(s)。电损耗简介:电损,指电流作了其它无用功而出现的电能耗损。
长度为1米的铜导线电阻是0.0185Ω。不同温度下的电阻率会有些差别,电阻率有一个温度系数.0.0185乘以100等于85也就是2欧左右,两根就是4欧左右,所以损耗也是很小的。接上线可以正常使用。
电能能损失计算 (1)线路损失功率△P(kW)△P=3(KIP)2(Re+ReT+ReI)×10-3 如果精度要求不高,可忽略温度附加电阻ReT和负载电流附加电阻ReI。
问题一:用电损耗怎么计算公式 损耗:变压器损耗2 变压器调整费5 高压电路损耗0.2 低压电路损耗02 问题二:用电损耗率是怎样算的 可以根据变压器铭牌上的参数计算一下变压器的自身损耗,看看是多少。
IGBT的导通损耗和开关损耗当IGBT模块结温升高时,其内部电阻变小,导通损耗会减小,而开关损耗则会增加。当结温升高到一定程度时,开关损耗的增加会超过导通损耗的减小,导致总损耗增加。
一般来说,开关损耗远大于导通损耗,开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积越大,由此产生的损耗也很大。减少开关时间可以减少每次导通时的损耗;降低开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以降低开关损耗。
三大损耗:与功率开关有关的损耗、与输出整流器有关的损耗、与滤波电容有关的损耗。与功率开关有关的损耗 功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分:导通损耗和开关损耗。
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