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mos管死区时间（mos管死区时间多少合适）

发布时间：2023-08-08
阅读量：22

本文目录一览：

mos关断时间跟什么有关

如果输出端还接有电容就不奇怪，因为电容放电需要时间。时间长短与取决与并联于电容两端的阻抗。

MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。

为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

在电源里，因为MOS的结电容等等，变压器的层间电容等等的元件本身的寄生电容等， 在关闭输出时，达不到马上关断到0的动作， 中间存在一个时间。 如果在这个时间上去开通，那么很可能对元件损坏。

选择所需符合的安规及电磁兼容 （EMC） 认证。开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。

什么叫上下桥臂直通,怎样避免?加大死区时间是不是越大越好?

1、为了防止上、下桥臂的直通，有人把上、下桥臂驱动信号死区时间调得很大，这样是不行的因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。

2、死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，避免直通炸模块。死区时间大，模块工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率。

3、桥臂直通是电力电子器件的专用术语，是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。

求SG3525应用电路

SG3525是一种性能优良、功能齐全、通用性强的单片集成PWM控制器。由于它简单、可靠及使用方便灵活，大大简化了脉宽调制器的设计及调试，因而被广泛应用于开关电源、电机调速等控制电路中。

Discharge(引脚7)：振荡器放电端。该端与引脚5之间外接一只放电电阻，构成放电回路。Soft-Start(引脚8)：软启动电容接入端。该端通常接一只5 的软启动电容。Compensation(引脚9)：PWM比较器补偿信号输入端。

单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

MOS和SBD应用场景去别

当MOS有很大的反向瞬间电流时，该二极管导通，起到保护作用。肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时候是不确定的，为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

MOS管就是场效应管，场效应管是一种重要电子元件，现在被广泛使用，他具有和以前的电子管一样的特性，是一种电压控制元件，依靠电压信号进行放大，原理是依靠一个信号控制导电构宽度从而控制导电性，场效应管具有三个接脚。

区别 节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。

为什么驱动全桥mosfet需要考虑死区时间

为了避免spike噪声的影响，通常在控制信号翻转后到反馈信号稳定的一端时间内，对反馈信号的运算电路进行屏蔽，这段时间就是死区时间。

为防止桥臂功率管直通需加入死区时间，而死区时间的加入就会导致调制失真，反应在输出波形上就是导致谐波增加，THD增大，即所谓的死区效应。

通常都是经验选取的，开关频率的1/50，保证电压损失不是太多。由datasheet里的时间只能最为参考，延时时间+开关时间。

四个MOSFET构成左右2个桥臂，上下两个mosfet为一组，互补导通，还要加死去时间，防止误导通，造成短路。第一个桥臂的上mos和第二个桥臂的下mos接收同一驱动信号，导通关断一致，另外两个mos也是同时导通和关断。

由上到下)後经VT4回路到Uin-，又当A=0 B=1 VT3 VT2导通，电流从Uin+经VT3流入变压器初级绕线组(由下到上)後经VT2回路到Uin-。所以电路需要电源Uin和2个同步相反的驱动信号。

关键词：开关器件 电子开关器件 启动电容 放电电阻 电阻 电容 寄生电容 控制IC 有电容 mos管 结电容 ical 高MOS管

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