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光电开关是传感器的一种，它把发射端和接收端之间光的强弱变化转化为电流的变化以达到探测的目的。由于光电开关输出回路和输入回路是电隔离的（即电缘绝），所以它可以在许多场合得到应用。
光电开关是光电接近开关的简称，它是利用被检测物对光束的遮挡或反射，由同步回路接通电路，从而检测物体的有无。物体不限于金属，所有能反射光线(或者对光线有遮挡作用)的物体均可以被检测。
光电开关最大的特点就是将光速变化进行处理，通过内部的元件，经过媒介的作用，将光束反射回检测物。
1、半导体PN结在受到光照射时能产生电动势的效应，叫光伏打效应。硅光电池就是利用光伏打效应将光能直接换成电能的半导体器件。图表3-31是硅光电池的结构和电路符号图。从图中可见硅光电池就是一个大面积PN结。
2、半导体光电器件引是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应（或热电效应）制成的器件。
3、后来就把能够产生光生伏打效应的器件称为光伏器件。由于半导体PN结器件在阳光下的光电转换效率最高，所以通常把这类光伏器件称为太阳能电池，也称光电池或太阳电池。
由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低，其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压，从而引起了倍率为β+1(相当于三极管共发射极电路中的电流增益)的电子注入，这就是硅光电三极管的工作原理。
总之，光敏三极管工作原理分为两个过程：一是光敏转换；二是光敏流放大。最大特点是输出电流大，达毫安级。但响应速度比光敏二极管慢得多，温度效应也比光敏二极管大得多。
光电三极管工作原理光电三极管，也称光敏三极管，是一种用于接收光信号并转换为电信号的器件。它由三个极接口，即正极、负极和中间极组成。
原理：在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。
再者是原理是接通电源后，发射结正向连接。在正向电场的作用下，发射区多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此，发射区的电子在外电场的作用下很容易越过发射结进入基区，形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。
一旦半导体激光器上加上正向偏压时，在结区就发生粒子数反转而进行复合。
LD工作原理是基于受激辐射、LED是基于自发辐射。LD发射功率较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽，而LED发射功率较小、光谱较宽、直接调制 带宽较窄。
我觉得基本原理是半导体中的电子 从高能级跃迁到低能级的过程中以光辐射的形式释放能量 具体的有两种情况自发辐射（直接跃迁、间接跃迁）和受激辐射（照它它才亮的那种。。
1、光器件由发射和接收两个部分组成。目前常用的光模块光器件有TOSA、ROSA和BOSA。TOSA TOSA是光发射组件（Transmitter Optical Subassembly）的英文简称，主要作用就是将电信号转换为光信号的。
2、光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。
3、一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。发射器瞄准目标发射光束，光束一般来自半导体光源、发光二极管(LED)、激光二极管、红外发射二极管。连续发射光束，或者改变脉冲宽度。
光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。
光电传感器工作原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。光电传感器首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。
原理是光照度改变使光敏电阻阻值的改变，而引起光敏电阻两端电压的改变。电压变化信号通过传感器传到计数器上计数计时。光电门一端有个线性光源，另一端有个光敏电阻，门中无物体阻挡时光照射到光敏电阻上。
光电传感器工作原理光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。一般情况下，它是由发送器、接收器和检测电路三部分构成。
这是现在最常用的光学传感器，这种光学传感器是将发射器和接收器相互分离。能够检测比较大的物体。其原理和槽型光学传感器基本相同，在这里就不详细介绍了。
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