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也许下边的分析,有助于你解决问题。但是将5V接5欧电阻时,问题很严重:刚上电时,变压器蜂鸣逐渐加重,MOSFET两端电压反常,波形如下图,而且测得的周期(约75us)与设计值(40kHz,25us)差了3倍。
用来吸收MOS开关瞬间的纹波的,起到保护MOS的作用,那颗电容有个专门的名字“Snubber”,容量并不一定都是0.1uf,根据实际情况选择。
输入阻抗高。由于栅源之间是SiO2层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。驱动电流小。
参考第一条的解栅极是最左边的竖线或和这条竖线相连的横线 理论上,真正的沟通只在栅极和衬底之间,及长竖线和中间短竖线之间。
栅的确是用一条长栅连在一起的,小方块应该是打的过孔吧,比如说金属1连到栅的(M1-Gate)的孔,这样方便后面的连线。
两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流,一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。
1、发射模块如果两个串联使用, 有一个晶体管是振荡发射,另一个是调幅调制,也就是数字调制。所以一个发热,一个正常。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
2、理论上MOS管可以由N颗并联,实际上MOS管并联多了容易引起走线很长,分布电感电容加大,对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
3、影响功率MOSFET并联均流的因素 在功率MOSFET多管并联时,器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏,严重情况下会破坏整个逆变装置。影响并联均流的因素包括内部参数和外围线路参数。
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