间接带隙半导体的光电器件（间接带隙半导体名词解释）

发布时间：2023-08-09

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1、属于#单片机开发#现代社会，人们对半导体产品依赖的程度越来越高，关于半导体，每一个人都有属于他自己的认知。

2、压电式传感器中的压电晶片既是传感器的元件，又是传感器的转换元件。

3、重力感应芯片，又称重力传感器，新型属传感器技术，它采用弹性敏感元件制成悬臂式位移器，与采用弹性敏感元件制成的储能弹簧来驱动电触点，完成从重力变化到电信号的转换。

4、索尼的一款传感器芯片。IMX264是索尼公司的一款图像传感器芯片，重要的功能是为了更好的成像。手机摄像机等电子产品的最终成像效果不只是和摄像头像素有关，其中图像传感器的好坏也是最为重要的一个因素。

间接带隙半导体的光电器件（间接带隙半导体名词解释）

1、质量好。间接带半导体是好的光电导材料是因为质量好。间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

2、(十一)可控制半导体发光层、半导体材料禁止带幅的大小：从而发出各种颜色的光线，且彩度更高。(十二)显色性高：不会对人的眼睛造成伤害。

3、因为直接能隙半导体材料的辐射复合几率很大，而间接带隙半导体则否。因为直接能隙半导体材料中的电子、空穴复合时，没有动量的改变，则不需要第三者参与，故能量都可以发光的形式释放出来——发光强度大。

根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。

硅锗晶圆是一种特殊的半导体工艺，传统半导体是硅基晶圆为主，不过金属锗具备优秀的电气性能，成本与硅晶圆相当，比砷化镓工艺更低，在FR射频芯片中使用较多。

硅的绝缘性好，锗的导电性好些，相比较，硅更容易获得，化学性状也更稳定，获取成本低，所以比较适合大规模生产，因此被大量采用至今，由于这两种元素的物理及化学性质的差异，导致最后硅胜出了，吼吼。

你好：——★由于采用的半导体材料不同，锗管和硅管两者的主要区别是：锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。

硅器件速度快。锗器件稳定性好，线性好，但是穿透电流大，耐温比较低。硅器件速度快，穿透电流小，但是温度稳定性差，非线性失真大。

1、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

2、硅、砷化镓等半导体材料。根据百度百科查询，间接带隙半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由外部的应力或磁场等引起的，此时带隙值会受到外界环境的影响，而且会随着外部环境的变化而变，例如：硅、砷化镓等半导体材料。

3、直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。

4、简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体，间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。

5、一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。

6、一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。