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可以用06N03 09N03 60N03 90N03代换。
N50E场效应管，可以使用使用18N60场管代替；场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
N代表是N沟槽场效应管03代表雪崩电压Vds=30V。
P2003BDG就是这个MOS关的型号 这是一个N沟道的MOS管 具体资料参考：http：//？keyword=P2003BDG&button=%CB%D1%CB%F7&way=0 后缀一般是公司自行定义。
常见的有这些2N7000、2N700IRF510A、IRF520A、IRF530A、IRF540A、IRF610A、IRF620A、、RF630A、IRF634A、IRF640A、IRF644A、IRF650、IRF654A、IRF720A、IRF730A、IRF740A、IRF750A、IRF820A、IRF830A。
V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
只换烧焦的就可以，不过你最好拿电笔或者找电工给你测试一下周围电路看看是不是由于其他的地方短路或者电流过大造成的。
那要看你的主板是什么牌子的，每个品牌的主板签的供应商都不一样，各家品牌的主板都有各自的喜好。我随意列举一些，完全说完是不可能的，主板的牌子太多了，而且不同的时期签约的供应商也会不同。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
不过现实中，耗尽型的类型很少，而P沟道也比较少，最多的就是N沟道增强型MOSFET，也就是增强型N-MOSFET。
N代表是N沟槽场效应管03代表雪崩电压Vds=30V。
在笔记本主板上用到的MOS可简单分作两大类：信号切换用MOS管： UG比US大3V---5V即可，实际上只要导通即可，不必须饱和导通。比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。
1、这个是台湾大中集成电路出的MOS管。公司商标：sinopower。你这个件是N沟道增强型MOS场效应管。型号全称是SM4337NSKP。DFN5X6A-8_EP封装。丝印第二行为单号。30V/55A。
2、MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。美系：IR，ST，仙童，安森美，TI，PI，英飞凌。安森美；安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。
3、目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi（仙童(飞兆半导体)）、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。
4、英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等，但是一些国产MOS管也不错，新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。
5、下面小编就来分析下国产MOS管品牌，探讨下国内外功率MOSFET器件的品牌对比及市场前景。
6、台湾目前在外面大家比较知道的MOS品牌：NIKO-SEM尼克森，UTC友顺，APEC富鼎先进，ANPEC茂达 前面三家高中低都做。都没有自己的晶圆厂，都是设计公司，基本上大陆和台湾封装都有。有自己晶圆厂的UBIQ力祥，不是很有名。
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