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1、大功率开关电源频率比较低，这是因为频率越高铁芯损耗越大，还有开关管的开关损耗也是和频率成正比的，频率升高趋肤效应也使线路的等效电阻增加，所以频率过高反而需要更大的散热器，导致电源整体体积增大。
2、为什么温度越高开关损耗越大？因为温度越高就说明电阻越大，那么在使用的过程中消耗自然会越大，所以说温度越高，开光损耗越大。
3、在这段时间内，开关管的电流和电压有一个交叠区，会产生损耗，这个损耗即为开通损耗。以此类比，可以得出关断损耗产生的原因，这里不再赘述。
开关电源IC一般考虑的是效率，效率=P输出/P输入。
线路电流：电流值可以实测获得，也可以计算取得，单相220V线路电流＝设备额定功率／220，三相线路电流＝设备额定功率／额定电压／732／功率因素。
电损耗公式计算如下：电损耗=电流平方x电阻x时间其中，电流的单位是安培(A)，电阻的单位是欧姆(Ω)，时间的单位是秒(s)。电损耗简介：电损，指电流作了其它无用功而出现的电能耗损。
长度为1米的铜导线电阻是0.0185Ω。不同温度下的电阻率会有些差别，电阻率有一个温度系数.0.0185乘以100等于85也就是2欧左右，两根就是4欧左右，所以损耗也是很小的。接上线可以正常使用。
假设开关电源的效率为0.85，那么12V1A输出时输入功率为12/0.85=112（W），也就是说大约有112-12=12（W）的功率浪费了。如果开关电源带有待机功能的话，按国际标准，空载时功耗不得超过1W。
电能能损失计算 （1）线路损失功率△P（kW）△P=3（KIP）2（Re+ReT+ReI）×10-3 如果精度要求不高，可忽略温度附加电阻ReT和负载电流附加电阻ReI。
1、一般开关电源的效率（220v-48v）大于80%，效率以80%计算，它的功耗就等于负载功率/80%。
2、MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。
3、输入功率=输出功率/效率。比如，开关电源是12V29A的，负载是12V1A。12V29A是指的开关电源的额定输出功率，12V1A指的是实际消耗功率。浪费不浪费则取决于开关电源的效率和实际消耗的功率。
4、输出功率=输出电压X输出电流，这两个参数在电源的铭牌上都应该有的。\x0d\x0a输入功率=输出功率/效率。\x0d\x0a效率一般上小于5W的取0.7，5-12W的取0.75。12W-24W的取0.8，24W以上的取0.8-0.92。
5、PD是指器件允许的最大消耗的功率，是在Tj=25度定义的，一般可由Pd=I*I*Rdson得到 在实际应用中，PD是指所有功率损耗的和，所以开关损耗只是Pd中的一部分。
6、给mos管两端加上直流电，然后让mos导通，看一下耗电就行了。
运用以有源箝位电路为代表的边缘谐振（EdgeResonance）来降低开关损耗。 通过延展开关元件的导通时间以抑制峰值电流的方法来减少固定损耗。 在低电压大电流的场合通过改善同步整流电路的方法来减少固定损耗。
提高开关电源待机效率的方法根据损耗分析可知，切断启动电阻，降低开关频率，减小开关次数可减小待机损耗，提高待机效率。
用导线将光控开关、声控开关、电灯以及电源依次连接。将声控开关和光控开关串联，然后再与S1并联，并联后与灯泡、开关S2以及电源顺次连接。
可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。质量好的MOS管，开关的损失也比较少。深圳立深鑫MOS管代理主要代理TVS管、场效应管、LDO芯片、三极管等半导体器件。
减小通态损耗可以通过选用低通态电阻的开关管来减小通态损耗；开关过程损耗是由于栅电荷大小及开关时间引起的，减小开关过程损耗可以选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。
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