行业资讯

行业资讯

通过我们的最新动态了解我们

首页 行业资讯
返回上一级

可控硅限流电阻（可控硅限流电路图）

发布时间：2023-08-09
阅读量：27

本文目录一览：

可控硅控制端串联的限流电阻是多大

1、V。主要关心的是电流（触发电流），一般20A以下的小功率可控硅，在触发极（G）和阴极（K）之间加5V左右电压（G+，K-），串联200Ω电阻限流就可以。可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

2、》100K电阻与200K电位器串联构成可控硅控制极的限流电阻，以便供给控制极的合适电流，并以R光敏电阻构成合适电流的自动调节来达到改变可控硅导通角，从而自动调节桥式整流器回路的阻抗以达到调节灯泡亮度。

3、一般20A以下的小功率可控硅，在触发极(G)和阴极(K)之间加5V左右电压（G+，K-），串联200Ω电阻限流就可以。

可控硅限流电阻的参数是怎么确定的?电阻R6和R7的电阻大小和功率选择是怎...

1、RRR3是光控可控硅发光二极管限流电阻，选择1/4W金属膜电阻，阻值1K。R4是阻容吸收网络电阻，可选择1/4W金属膜电阻，阻值100欧姆。C1可选择25V电解电容器，容量220uF。

2、）首先获得触发端最大允许工作电流值（通过器件的参数）；2）计算或估算出触发支电路的最大工作电压（90°相角下）；即可据此计算出限流电阻的阻值和功率。

3、RC 回路中的R8电阻1/8W足够了R6电阻的功率根据双向可控硅IGT1和IGT3的大小来计算，一般1/4W。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

4、根据可控硅的触发电流Igt决定 根据可控硅的导通时间（导通速度）来决定 最重要的一点，根据你可控硅控制电路是否过零导通或随机导通来决定，这一点最重要。

5、单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

双向可控硅门级电路的那个360欧的电阻电阻功率怎么选呀,按图中的电路...

1、这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。

2、上面的360R的电阻是触发电路中的限流电阻，下面的电阻是防干扰电阻，去掉也可以工作。

3、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。

4、可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

大家帮我看下这个可控硅电路中,电阻该用多大的?原来的电阻烧坏了,可控...

改变200K可调限流电阻，将改变电容的电容时间，从而改变输出的电压的。

当晶闸管承受正向阳极电压阻断，而门极未受电压的情况下，晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。

烧坏可控硅的阻容保护电阻，可能是使用过程中出现过电压，更换功率大一点的电阻或者使用氧化锌晶闸管保护就可以了。它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。

怎么计算双向可控硅触发电路所用元件的参数?图中R5、R10阻值如何选取...

1、可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。

3、接通电磁阀线圈（一般小于10W）可用BT136可控硅，光耦触发电阻选330欧姆，保护电阻100欧姆，保护电容选0.1u～0.022/1000v，CBB21，这种小负载也可不用保护电阻，电容。

4、）首先获得触发端最大允许工作电流值（通过器件的参数）；2）计算或估算出触发支电路的最大工作电压（90°相角下）；即可据此计算出限流电阻的阻值和功率。

5、上面的360R的电阻是触发电路中的限流电阻，下面的电阻是防干扰电阻，去掉也可以工作。

6、双向可控硅的检测：用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

100a可控硅得需要多大调整电阻

到500欧。连接变压器和可控硅为100A电流，电阻需要300到500欧才可以位维持正常运行。变压器就是一种利用电磁互感应变换电压、电流和阻抗的器件。

单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。

大概这么理解吧：半导体元件导通状态时，其“通态压降/电流”就是通态电阻，例如：通态压降5V，此时电流为100A，则通态电阻是0.05欧。具体概念应该是指额定值。

关键词：二极管限流 发光二极管 电解电容 电容器 可控硅的 电阻的 硅发光二极管 电位器 金属膜电阻 可控硅 电阻烧 双向可控硅 电阻 单向可控硅 0欧的电阻

上一篇：深圳ic代理（深圳ic公司有哪些）下一篇：奇瑞旗云升降器保险丝（奇瑞旗云1玻璃升降器保险在哪）
返回列表
相关新闻

一点销电子网

Yidianxiao Electronic Website Platform

Tel：0512-36851680
E-mail：King_Zhang@Lpmconn.com
我们欢迎任何人与我们取得联系！
请填写你的信息，我们的服务团队将在以您填写的信息与您取得联系。
*您的姓名
*电话
问题/建议
承诺收集您的这些信息仅用于与您取得联系，帮助您更好的了解我们。