mos管寄生二极管电流（mos管的寄生二极管）

发布时间：2023-08-10

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若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。

把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。

示波器的探头那里不是有个可以伸缩的小钩吗？直接用那个钩住管脚既可，负极一般是有个黑色的鳄鱼夹子也可以夹管脚。

用万用表可以测，如PNP的三极管，都是有PN结啊，就用二极管档位测量PN结是否正常就可以了啊。极性电容也同样用万用表可以测量，所以万用表是有很多的功能的。

在MOS管的DS极间，有个寄生二极管。根据以上特点，我们可以对它的击穿情况进行好坏的判断。我们先根据栅极电阻找到栅极，万用表选择100k档，测量栅极和漏极以及源极的电阻。它们通常在几十到100k以上。

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。

3、n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

4、N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

1、MOS管截止时，电流会从体二极管流过，但是这个电流的值已经非常小了，可以忽略不计。体二极管，又叫寄生二极管，它是由生产工艺造成的，大功率 MOS 管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。

2、这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管，实在不行换一个，或者在硬之城上面找找这个型号的资料。

3、MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

4、当输入电压大于3V时，一部分电流从上往下流经二极管，一部分电流流入右边负载（本图没有这部分）。

5、N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

续流二极管完全可以用整流二极管代替。只是耐压需要足够。续流二极管只要不是高频率（开关电源用）并没什么特殊要求。

▲ MOSFET种类与电路符号有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。一般大功率管有该二极管，小功率管和集成电路中的mos管没有该二极管。如果漏极从衬底硅片底部引出的，则会有该二极管，是漏极与衬底之间形成了PN结造成的。

mos管寄生二极管电流（mos管的寄生二极管）