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ttl的缺点，首先是芯片面积，相比起cmos工艺，单个器件的尺寸会达到几倍甚至十几倍以上，这就限制了芯片的集成度；其次是功耗，bjt工作是有静态功耗的。
TTL是双极型晶体管构成的一种基本逻辑电路，速度较快；如果是STTL（肖特基钳位TTL），则速度更快。MOSFET是场效应晶体管，它也可以构成各种逻辑电路；一般，这种逻辑电路的速度较慢。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
，TTL电平：输出高电平4V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=0V，输入低电平0.4V。2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
TTL电平： 输出高电平4V，输出低电平0.4V。在室温下，一般输出高电平是5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。
TTL电源电压只能是5V，电平大致如下：\r\n输出高电平电压≥7V，典型6V，输出低电平电压≤0.5V；\r\n输入高电平电压要求＞2V，输入低电平电压要求＜0.8V。
1、)TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2)TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns)，但功耗低。
2、高低电平不同。TTL高电平6~5V，低电平0V~4V，CMOS电平Vcc可达到12V 。电路输出电平不同。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。电路不使用的输入端不同。
3、V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载力小，不用端必须处理。CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。
4、其次是关于TTL电平和CMOS电平电路的区别。TTL电平和CMOS电平受控制的因素就不一样，TTL电平是受电流控制的器件，而CMOS电平是受电压控制的器件，也正因为如此，两者在传输速度和功耗方面差别也很大。
5、CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。电路作用不同：TTL电路是：电流控制器件，CMOS电路：是电压控制器件。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
1、)TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2)TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns)，但功耗低。
2、高低电平不同。TTL高电平6~5V，低电平0V~4V，CMOS电平Vcc可达到12V 。电路输出电平不同。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。电路不使用的输入端不同。
3、V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载力小，不用端必须处理。CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。
4、其次是关于TTL电平和CMOS电平电路的区别。TTL电平和CMOS电平受控制的因素就不一样，TTL电平是受电流控制的器件，而CMOS电平是受电压控制的器件，也正因为如此，两者在传输速度和功耗方面差别也很大。
5、CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。电路作用不同：TTL电路是：电流控制器件，CMOS电路：是电压控制器件。
1、主体不同 TTL电路：是晶体管-晶体管逻辑电路。CMOS电路：是互补型金属氧化物半导体电路。特点不同 TTL电路：采用双极型工艺制造，具有高速度低功耗和品种多等特点。
2、高低电平不同。TTL高电平6~5V，低电平0V~4V，CMOS电平Vcc可达到12V 。电路输出电平不同。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。电路不使用的输入端不同。
3、性质不同：TTL：指定IP包被路由器丢弃之前允许通过的最大网段数量 CMOS：是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。
4、TTL与CMOS电路的区别 TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快（数ns），功耗大（mA级），负载力大，不用端多数不用处理。
5、就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是0.2V为输出低电平；4V为输出高电平。而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。
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