pwm光耦（pwm光耦隔离失真）

发布时间：2023-08-10

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1、电流一样可以反馈到初级用PWM来控制的。然后直接在做限流电路来控制电流，这样子成本就相对比较高而已，一般是不得已而为之的。

2、作反馈用的光耦正是利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈，因此在环境温度变化剧烈的场合，由于放大系数的温漂比较大，应尽量不通过光耦实现反馈。

3、如图：R要根据你所接电压和电机M的工作电流来调整！单片机输出电压为5V所以R1一般用1/8W 500欧左右。（最好在M电机两端并一个二极管以保护电机停转时的反向电流将光耦击穿。

pwm光耦（pwm光耦隔离失真）

它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

用低端电压和PWM驱动高端MOS管。用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。gate电压的峰值限制。输入和输出的电流限制。通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。PWM信号反相。

你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。

1、对于Vds不高功率不大的MOSFET来说用5V的TTL电平可以直接驱动（只限于不需要隔离的电路）。如果不符合上述条件就必须使用MOSFET或IGBT专用驱动光偶或IC，并在2次电路采用隔离供电。

2、可以加，单片机管脚驱动能力有限，光耦可以很好的驱动三极管；光耦的隔离作用，使得单片机免受干扰，系统更稳定；防止负载端故障烧毁单片机IO。

3、单片机输出PWM，改变其占空比来控制MOS管的导通角，从而改变灯的亮度。占空比位1和0，灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。

4、使用普通的光耦就可以了，比如PC817或者TLP512来驱动N沟道的MOS管。

1、出现这个问题，应该是你的光耦器件的频率打不到你的要求，你查查那个光耦的数据手册，看看正常工作时候最高能到多大频率。一般光耦的频率不会很高，用来做PWM隔离或者通信用的光耦，叫高速光耦，价格都不一样的。

2、com信号接芯片的误差放大器输出脚，或者把PWM 芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式，com信号则接到其对应的同相端引脚。注意左边的地为输出电压地，右边的地为芯片供电电压地，两者之间用光耦隔离。

3、图2在输出高电平时，电流大，带负载能力强。缺点是如果后面的电路对地短路了，就烧掉光耦了。

4、前面是个非门用来扩大驱动能力，非门输出低电平光耦里的二极管就亮了。

5、和PWM的占空比不是线性关系。驱动级没问题，这边用三极管放大不太好，低电平够强，但高电平完全靠电阻，充放电不对称，无法线性。建议光耦接收侧用运放做，接成比较器方式，输出直接RC滤波电路即可，不要用二极管。

6、闭环控制时过零检测不需要很精确，一般用一个双向光耦就足够，光耦输入接交流电输入，输出接CPU中断，用史密特整形一下输出信号最好。中断程序的结构分成两部分，过零中断与延时中断。过零中断做两件事，输出复位，开始延时。