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1、区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
2、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
3、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
4、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制， 成本问题：三极管便宜，mos管贵。 功耗问题：三极管损耗大。 驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
5、工作性质：三极管属于电流控制，MOS管属于电压控制。成本方面：三极管价格比MOS低。功耗方面：三极管损耗比MOS大。驱动能力：三极管用于数字电路开关控制。
1、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
2、速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高 工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制 阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。
3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
4、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
5、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制， 成本问题：三极管便宜，mos管贵。 功耗问题：三极管损耗大。 驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
6、工作性质：三极管属于电流控制，MOS管属于电压控制。成本方面：三极管价格比MOS低。功耗方面：三极管损耗比MOS大。驱动能力：三极管用于数字电路开关控制。
MOS管虽然是电压控制器件，在工作在较高频率下栅极反复充放电也是需要较大电流的，要利用三极管的开关为栅极提供充放电回路。
是大电流驱动MOS管，让MOS管快速导通，减少MOS管的开关损耗。这种电路一般用在高频开关电源上。
mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。
管的两个PN 结均需 反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。而三极管的多子载流子和少子 载流子均参与导电，是“双极型”器件；d. MOS 管可以在低电流低电压下工作，因而广泛应用于半导体集成电路。
区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制， 成本问题：三极管便宜，mos管贵。 功耗问题：三极管损耗大。 驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
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