mos管等效（mos管等效电路）

发布时间：2023-05-20

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串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。

mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

一般来说，nmos管的宽长比为pmos的1/3。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。具体公式可以去查书。电流镜的 Id 比例是 1：2，那么两个 MOS 管的宽长比的比（注意是两个宽长比的比）应该也是 1：2，因为如上所述 Id 与宽长比成正比。

mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。

倍×25倍比较好，小倍数作为第一级比较好。

当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。

实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。

增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0的情况下工作。

mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

mos管等效（mos管等效电路）

参数有区别。DO-27和DO-201AD。压降90.7V和压降0.95V。众所周知，SR360为肖特基二极管，封装DO-27又可称DO-201AD，二者尺寸一致，而肖特基二极管比较特出的特点是，正向压降低，反向恢复时间小。

外观和尺寸都有区别的，DO-214AC封装是贴片形式的；DO-27封装是直插形式的。

能给我解释下为什么do-201ad和do-27封装是一样的，谢谢。

贴片二极管5820和5822的区别是：贴片（SMD）二极管5820的主要参数：反向耐压Vrrm=20V 正向电压Vf=0.475V。贴片（SMD）二极管5822的主要参数是：反向耐压Vrrm=40V 正向电压Vf=0.525V。