mos管重要参数（mos管的几个重要参数）

发布时间：2023-08-10

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导通电阻是温度敏感参数，在25 C和150 C间，它的值近似变为两倍。RDS(ON) 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

MOS管主要参数如下：开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

导通阻抗是指MOS管处于导通状态时源极和漏极之间的电阻，这个数值越小导通效果越好；开启电压是指增强型场效应管加在栅极和源极之间的控制电压达到使之开始导通的电压值。

首先需要说40V不是开启电压，开启电压又叫阈值电压，一般都在2-6V之间。如果有型号可以查它的各种参数，如果单看40V5A，一般指的的是漏源击穿电压40V，漏源额定工作电流5A。

mos管重要参数（mos管的几个重要参数）

1、输出电压：4．8V－5．2V；输入电压：不大于36V；最大输出电流：1．5A；输入输出压差：2V。用78／79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。

2、·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

3、反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。

4、Izk---稳压管膝点电流IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流IZSM---稳压二极管浪涌电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。

5、稳压二极管选型参数有： UZ—稳定电压：指稳压二极管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 PDSM — 最大耗散功率。