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影响mos管vth（影响mos管开关损耗的因素）

发布时间：2023-08-10
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本文目录一览：

MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低?

1、MOS管PDF中都有一个Vth的参数，这个参数是MOS开通的门限电压，当MOS管GS两端电压低于此电压时为低，高于此电压时开始导通，当高于Vmiller（这个PDF中不一定有）电压后完全导通。

2、高电平和低电平是指电量在相同阻抗下的相对比值。高电平，指的是与低电平相对的高电压，是电工程上的一种说法。

3、N沟道的MOS管 D流向S G大于S极4V左右就完全导通。 P沟道的MOS管 S流向D S大于G 4V左右 完全导通，我觉的没有必要太注重几V是高低电压。了解导通条件就可以了。

4、低电平是：0.0V-0.4V。对于CMOS来说高电平是：99-0v。低电平是：0.0-0.01v。对于高低电平之间的电压属于不定电压，在这个电压下会使器件工作不稳定。

5、高低电平的划分对于TTL来说高电平是：4V-0V；低电平是：0.0V-0.4V。对于CMOS来说高电平是：99-0v；低电平是：0.0-0.01v。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

解析：你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。

mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。

影响mos管ids大小的因素有哪些

MOS管主要是起到电压放大作用 ，当栅极电压增大 Id随之增大 ，只要Rd选择合适就能得到电压，反之一样，MOS管的导通源极跟漏极相当于一根导线。

第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅(栅氧化层)中的电荷Qss以及电荷的性质。

在保证Vgs和Ids不变的情况下，温度升高会引起Vds变大。这是因为温度升高导致晶格振动加剧，载流子迁移率下降，想要获得同样大的电流必须增大Vds。这忽略了Vth随温度升高而减小的量和载流子数量的增加。

它们的管脚排列（底视图）MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

mos管的开启电压有最大值，最小值是因为mos管的测试条件不一样啊，比如说温度。三个值具体参考哪一个要看你用在什么上面啊。

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MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义...

1、Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。

2、pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。

3、而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。

4、MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。

关键词：mos管 mos管开关 影响mos管vth

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