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1、可控硅触发一般使用MOC3021,相关手册上有典型电路,CPU端接一个GPIO就可以。闭环控制时过零检测不需要很精确,一般用一个双向光耦就足够,光耦输入接交流电输入,输出接CPU中断,用史密特整形一下输出信号最好。
2、可控硅的电路图大把。你下载一份洗衣机、调速电风扇、台灯等的电路图一看就知道了。单片机采用PWM方式就可以调光。不过要一个过零检测电路。方法:检测到零点信号以后,开始计时。根据亮度要求大小,调整触发的时间即可。
3、不需要PWM调整占空比输出,只需要固定为50%占空比脉冲信号输出,也可以用定时器控制产生,频率500Hz~1KHz, 过零检测信号可以用半波整流获得 用ATmega16控制市电220V/50HZ的白炽灯过于奢侈,最多用ATmega8L即可。
4、有PWM功能的单片机入STC12系列单片机,直接给专用寄存器赋值开启相应定时器就可以了。普通单单片机,PWM需要用自己来调配。
1、用继电器控制很能难实现过零的,因吸合时有延时。用对继电器控制适合于功率不大的设备,1KW以内还可以,也不用过零检测。控制的设备功率再大了最是要过零检测了。
2、单片机控制可控硅,必须要用光耦。再要看可控硅,是单向的,还是双向的。单向的可控硅可用P521光耦。双向可控硅,用MOC3083光耦。
3、需要利用交流电的作触发信号,单片机生成延迟脉冲,不必使用pwm 注意是调节过零后的延迟时间,再出脉冲。
4、如果仅仅是为了控制交流负载,建议使用固态继电器使用方便,电路简单,单片机可直接驱动。不可以,需要加光隔如MOC30电路相对复杂。
5、当检测到过零点后计时,根据所需电流的大小控制计时时间,时间到后输出一个脉冲(具体高低电平要看你的电路)。时间需要在10ms以内,时间越长 电流越小。 若是用带过零检测的光耦驱动,单片机就可以不用检测过零点。
1、可控硅的工作原理:双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
2、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。
3、因此,双向可控硅可以在正向和反向电压作用下,控制电流的流动。
4、双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。
5、双向可控硅交流调压原理 一只双向可控硅的工作原理,可等效两只同型号的单向可控硅互相反向并联,然后串联在调压电路中实现其可控硅交流调压的。为50Hz交流电的电压波形。
1、固态调压器内部主电路就是一个双向可控硅,用电位器去控制可控硅的导通角,导通角需要一定的起始电压才能导通,所以不能从零开始。
2、一般就是双向可控硅击穿,检查可控硅以及触发二极管。
3、你的可控硅是单向的还是双向的?输出电压多少?这些要先弄清楚的。估计是电压不足。可控硅本身就是用来调节输出电压的,输出电压太低当然不能吸合了。
4、双向可控硅,控制极所加的电压,一定要体现在可控硅的本身。图中三极管无论导通与否,其集电极上的电压都反映不到可控硅,所以可控硅不会被触发。
另外,在输电线路的电阻上及电源的内组上的电压降,都与用电器中的电流成正比,增大电流必然增大在输电线路和电源内部的电压损失。因此,提高用电器的功率因数,可以减小输电电流,进而减小了输电线路上的功率损失。
如果你不并联电容的话,输出的电压会随着器件的工作而改变,一般是会变小,从而导致电流减小,输出功率也就减小了。当然也不排除一些特殊的情况会使输出电压变大,电流增大,导致电器烧坏。
功率因数低的根本原因是电感性负载的存在。例如,生产中最常见的交流异步电动机在额定负载时的功率因数一般为0.7--0.9,如果在轻载时其功率因数就更低。合理选用异步电动机即可提高功率因素。
增大负载和线路的电流,占用电源的容量,使电网中的元件产生附加损耗,功率因数下降,效率降低。谐波对电动机不产生负载转矩,引起附加谐波损耗与发热,缩短设备使用寿命。对临近的通信系统产生干扰。
可控硅电力控制器的基本原理是通过控制信号输入,去控制串在主回路中的可控硅(晶闸管)模组,改变主回路中电压的导通与关断,由此达到实现加热器控制。
可能是负荷小,单个电容功率大,所以过补偿,也可能是自动控制器或者是互感器的问题。JKW5C无功功率自动补偿控制器采用微型计算机控制,技术先进、功能完美、抗干扰能力强,运行稳定可靠,补偿精度高,外形美观。
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