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性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。
不具备电压、电流的线性放大能力(单向可控硅还是个整流器件)。三极管---电流控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。场效应管---电压控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。
但相位不同，互相抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管（实际用IGBT）的电流较小。
自己查查。就我设计经验看，场效应管我多用在开关作用，就是控制电压的收入和截止，可控硅说白了就是一种开关，可以控制的的开关，而且使用寿命很长，可以频繁开关很多次，而且反应速度快，适用于对电路的精确控制。
场管的控制电流甚至是没有电流的，它是电压控制形器件，对控制端来说，内阻很大。而可控硅需要控制端的电流达到一定值后才能动作。对于强电负载就用可控硅，对于导通电阻值要求较小的情形就用场管。其它情况待知友补充。
GTO(门级可关断晶闸管)：全控型器件 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 。
其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。
mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。
IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
主要作用：普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
GTO的电压、电流容量比IGBT的大，主要用于大功率领域，但它的驱动电路技术难度也大，而且价位高，不受到推广。
1、可控硅调光电源是一种用于调节电压和电流的电源。它的工作原理是通过改变可控硅的导通率来调节输出电流。可控硅是一种特殊的半导体元件，它的导通率可以通过控制外界电压来改变。
2、LED可控硅是一种可以调节亮度的半导体照明设备。它通过控制半导体硅器件的功率来调节亮度。这是通过使用一个电流控制电路来实现的。当电流流过半导体硅器件时，它会发光。
3、可控硅应时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
4、可控硅调光的原理：电位器RV2调整可控硅(TRIAC)的相位角，当VC3超过DIAC的击穿电压时，可控硅会导通。
5、调光原理：可控硅是一种半导体器件，它具有单向导电性，在正向偏置时电流从A极出发，经P区到N区；反向偏置时电流从N区出发经过P区到A极。当输入电压一定时，通过调节控制导通角的改变来控制发光二极管的发光亮度。
可控硅的工作原理：双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
可控硅工作原理及作用 可控硅的三个电极分别称为阳极阴极和控制电极。当设备的阳极连接到负电位时。当正电位加到器件的阳极时，在一定的电压范围内，器件仍处于关断状态，阻抗很高。
可控硅是一种半控型电力电子器件。它有一个阳极、一个阴极和一个控制极（也叫门极）。
双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。
可控硅原理是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
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