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二极管iv(二极管IV特性曲线分析)

发布时间:2023-08-11
阅读量:32

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二极管折线化模型怎么得来的,不知道那三种折线化模型是什么原理。_百度...

1、图1好像显示的是理想二极管的IV曲线,该zhidao曲线由求解二极管漂移扩散方程得来的,公式大概形式版为:I=Is*exp(qV/nkT);真实二极管是带有串联电阻、寄生电容、并联电阻的,权因此在理想曲线上会有修正。

2、温度效应:二极管的特性曲线通常会受到温度的影响。如果在不同的温度下测量,可能会导致特性曲线的形状不同,或者出现折线状的现象。漏电流或电荷效应:如果二极管中存在漏电流或电荷效应,那么就可能会导致特性曲线呈现出折线状。

3、①理想二极管模型---正向导通时,压降为0;反向截止时,电流为0。该模型通常用于防止电源反接和开关电路中;②恒压降模型---当二极管工作电流较大时,其两端电压为常数(通常硅管取0.7V,锗管取0.2V)。

pn结的iv公式

1、PN结电流方程——老张老师深入浅出讲半导体器件物理系列之4 58:06 时间:2020-04-04 简介:细细讲PN结IV方程推导的物理过程和逻辑,希望对同学们有帮助。

2、PN结正向偏置时的电阻R=U/I。式中U为PN结上的正向电压,I为流过PN结的电流。当PN结反向偏置时的电阻R=U/I。电阻率的计算公式为,ρ=RS/L。

3、PN结的伏安特性:A、数学模型:I=Is(e^(v/vT)-1)说明:很好的描述了二极管的正反向特性,并且它应该是实验室测量二极管伏安特性曲线,经过数学建模而得到的式子,符合客观事实。

4、半导体PN结的电流与电压U关系式:=i(e的qU/kT次方_1)。q是电子的电荷量,T是绝对温度,单位为K,k常数=38*(10的负23次方)/K,i是反向饱和电流,U是PN结外加。

5、公示为(exp)kTqVIsIFF=(1)。PN结的正向电流一电压关系满足(1)式(1)中I是通过PN结的正向电流,是不随电压变化的常数,T是热力学温度,e是电子的电荷量,U为PN结正向压降。

二极管的交流小信号模型为什么是电阻?

先来个结论:二极管持续导通状态下,对低频交流小信号的特性表现为电阻。记得刚学二极管时,做实验。我拿了个万用表测量二极管的电阻,结果发现用不同的万用表测出来的阻值不一样,就问实验员老师,结果他也一脸懵B。

是说在正向导通的状态,二极管本身内阻较小,可以看作一个小阻值电阻。

Vt为温度的电压当量,其值为kT/q,其中k为玻尔兹曼常数,T为热力学温度,q为电子电荷。常温下Vt=0.026V。

这里的直流电阻即总电压除以总电流得到的比例,交流电阻是当器件上电压有微小变化时,电压的变化量除以电流的变化量得到的比例,在小信号模型时很有用。

二极管和电阻是两种不同的电子元件。一般来说,电阻具有标定的不变或可变阻值,在电路中表现为纯电阻特性。

二极管正向导通,就是说二极管有正极和负极,正极电压比负极电压高的时候,就会导通,U-I不是U/I=R,而是I随着U指数增长。反向截止,就是施加U,没有I。非欧姆电阻就是说不满足欧姆定律。

如何测二极管电流?

因为Rxl挡的电流太大,容易烧坏二极管,R xlok挡的内电源电压太大,易击穿二极管.测量方法:将两表棒分别接在二极管的两个电极上,读出测量的阻值;然后将表棒对换再测量一次,记下第二次阻值。

二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时,其正向电阻值(黑表笔接正极)为5~5Ω,投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0,则说明该二极管已开路或击穿损坏。

测量整流二极管的反向电压应该使用直流电压来测量。注意:一定要限流,该电路限流在5ma—10ma,可以测量稳压管的稳压电压与稳压特性。

不过,所选用的挡位越接近被测值,测量的数值就越准确。测量直流电压和直流电流时,注意正、负极,不要接错。发现表针反转,应立即调换表笔,以免损坏表针、表头等。

Tip 2:手动校准的探头需使用非导体螺丝刀旋转螺丝。Step 3: 二极管正极为静态点,将探头的正极接到二极管的负极,探头地线接到二极管的正极。将示波器设置为“正相”,“上升沿触发”,“全带宽”,测量值选择最大值。

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