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三极管电阻（大电流二极管）

发布时间：2023-08-11
阅读量：30

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贴片电阻怎么选择？

误差当然是越小越好，但误差越小成本相对就高一些，这个要综合多方面因素考虑了。一般常用的贴片电阻是1%和5%的。

凡瞬间或交流电流涉及高频率要检测时，电阻的自感必 须减至最低。线绕或皮膜螺旋切槽型电阻应该避免使用。 低阻值贴片或金属板电阻是最好的选择。

如果不知道贴片电阻识别及型号如何选择，应该看下厚声电子这个品牌的产品，有多种型号可以使用，能够满足不同的用户所需，产品的体积小但是质量很好，不管哪种型号的贴片电阻都能在这个品牌中找到。

精度越高越好，1%精度最高，偏差也就最小。

如果贴片电阻很细的话，眼睛看不清数字就只能把贴片电阻全放在桌子上，然后打好万用表量程，一手捏一根表笔去测量，然后放到各个有相符阻抗标记的小容器里，放便以后使用。

介绍三极管的电路图中各个电阻的作用!

左电阻，三极管的固定偏置电阻，给三极管基极提供偏置。右电阻，三极管集电极负载电阻，用于把集电极的电流信号转化为电压信号以便送往后续电路。

Re与输入电流形成串联关系，利用Ie的变化来抑制输入电流的变化，具有电流串联负反馈作用，用来稳定三极管的工作点。Rc是集电极的负载电阻。三极管动态时电流的变化，在Rc上产生电压的变化，从而得到电压输出信号。

电阻是作为输出保护，当输出被短路时，这两个电阻能分担输出晶体管的功耗，防止烧毁。

防止过饱和导通，但如果没有它三极管就不能导通，下偏超分压作用，有的电路可不用。RC是发射极限流电阻，防止电流过大烧坏三极管，RE可以想解是集电极负载电阻，没有它就短路了，在上电路中它与CE构成一个限幅电路。

三极管的输入电阻是多少

1、rbe=rbb’+(1+β）(re+re)，这个电阻和工作状态有关，具体的说和滞留工作点有关。一般估算是，150~350都是合理的，工程应用时并没有统一的标准。

2、三极管的输入电阻rbe=1k左右，输出电阻RC~=RC//RL.光敏三极管不是用导通电阻参数来表达的，光敏电阻是用亮电阻和暗电阻来表达的。光敏三极管的主要参数是光电流IL和暗电流ID。

3、三极管输入电阻，就是发射结电阻，包括接触电阻 rbb，以及PN结导通等效电阻。rbb 大功率三极管一般取 200欧，小功率三极管，取 300欧。PN结等效电阻 26mV/ibq 。

4、输入电阻=RB1//RB2//RBE，约等于RBE。RBE=RBB+(1+β）IE/26，约等于1-2K欧姆。

三极管正向导通电阻大概是多少?

三极管导通后，由于载流子的作用，失去了PN结典型导电特征。只取决于材料和工艺。CE之间在饱和导通的情况静态内阻是相当小的，大概是0.X-X欧的数量级。

以9013，9014为例，用MF-47型万用表R*1K档测量，Rbc=Rbe=5kΩ。Rcb，Rce，Reb.Re均为无穷大。换用*1，*10，*100档位测量，反向电阻都是无穷大，正向电阻值的读数大约是5，50，500。

三极管电阻的大小与三极管的类型、型号、不同电极间、正反向都有关。一般正向电阻都要小于几千欧姆，反向电阻都会大于几千欧姆。

三极管发射结电阻计算公式

1、计算要参照外部所接的电路。三极管在不同电路中的参数计算均不同，但你只要抓住放大倍数β、发射结的压降0.7V（硅材料）、电源电压。就可以根据基极电流还有所接电阻计算各个参数。

2、知道Re后结合Ic就可以知道发射极的直流电位Ue，然后对于硅管，Ue+0.65=Ub，可以得到基极电位Ub，然后根据Ic和β可以估算出基极的直流电流。

3、我都解释下，偏置电阻Rb=(Ube-0.7v)/Ib，Ib*β=Ic，Ic=(Uc-0.7)/Rc。

4、三极管输入电阻，就是发射结电阻，包括接触电阻 rbb，以及PN结导通等效电阻。rbb 大功率三极管一般取 200欧，小功率三极管，取 300欧。PN结等效电阻 26mV/ibq 。

三极管为什么要接电阻

三极管基极和集电极必须加个电阻的原因是防止电路中的电流过大，造成器件的损坏。基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极：分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。

三极管并不是一定要接电阻的，要看具体的作用。电阻器（Resistor）在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。

也有很小一部分电子与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

断电时基极能量消耗在电阻上，保证三极管可靠关断。三极管C、E两极间的耐压有三种：基极开路，C、E间的耐压，称为BU（CEO）；基极与射极间接一电阻，称为BU（CER）；基极与射极短接，称为BU（CBO）。

加射极电阻就是可以抑制这种变化的速率，从而加速晶体管的关断，避免三极管深度饱和。基极对地电容是为旁路电容，用于高频滤波，提高抗干扰能力。当有高频交流杂波干扰过来时，此电容可将其对地交流短路，从而消除干扰。

V（Vce），加上如果你此一级的三极管如果是锗三极管，Vbe 0.2V就导通了，所以要加个下拉电阻把这个0.3V的低电平彻底往下拉到0.2V以下。

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