mos管加速电容（mos管的电容是如何产生的）

发布时间：2023-08-11

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1、主要是灭弧用的，由一个电容与一个电路串联后，与开关并联。这样在开关通断时产生的瞬间高压，可以被电容电路吸收，有效消除接点处的电火花，延长开关接点的寿命。电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。

2、你的开关电源应该是隔离式电源，在初级和次级上加电容是为了给次级的共模电流提供一个回路到初级，减少共模电流对输出的影响，因此这个电容称为Y电容。

3、消反峰。由于开关变压器存在漏感和分布电容，开关管在由导通转向截止瞬间，会产生很高的反峰电压，容易击穿开关管，电磁干扰也较大。并上该阻容回路后，消耗了反峰能量，不致击穿开关管，电磁干扰也会减小。

Y=（A+D+AD）BC。其中：A+D=[（A+D）]=（AD）。所以：Y=[（AD）+AD]BC=1×BC=BC。

低速的脉冲信号是不需要考虑这个问题的，高速脉冲就需要考虑。因为MOSFET结电容的存在，方波信号的前沿有一部分通过给电路寄生电容和MOSFET结电容充电，使输出的波形边沿变得平滑，不那么陡了，这样就会使MOS管发热。

写“简易脉冲信号显示器”的实验报告的格式（或者范文参照一下格式）。输入或门集成电子器件的名称是。集成CMOS门，555，10进制计数器，数码管，电阻，电容，5V电压源，插座的市场价格一般是多少。

mos管加速电容（mos管的电容是如何产生的）

1、也许下边的分析，有助于你解决问题。但是将5V接5欧电阻时，问题很严重：刚上电时，变压器蜂鸣逐渐加重，MOSFET两端电压反常，波形如下图，而且测得的周期（约75us）与设计值（40kHz，25us）差了3倍。

2、用来吸收MOS开关瞬间的纹波的，起到保护MOS的作用，那颗电容有个专门的名字“Snubber”，容量并不一定都是0.1uf，根据实际情况选择。

3、输入阻抗高。由于栅源之间是SiO2层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。驱动电流小。

4、太小了就不起振。时钟的精准度是看晶振的振荡频率是否精准，每个晶振一做出来就定了，误差总是有点的。与电压没多大关系。32768一般电容可以是5-47p，一般使用20-30p。晶振有一个最匹配的电容值，产生厂家知道。

5、电池电压为X，DS1302备用电源的最低电压为Y，电容为C那么，使用时间为：0.5C(X^2-Y^2)/((X+Y)*I/2)，单位为S。电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

电容的电流损耗）。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）（metal oxide semicondutor field effect transistor）。