硅二极管和锗二极管（硅二极管和锗二极管的导通压降分别为）

发布时间：2023-08-11

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1、根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。

2、锗二极管反向耐压则低得多；硅二极管的反向漏电流很小，锗二极管的反向漏电流要大得多；硅二极管的温度系数比锗二极管大。

3、硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：1）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。

4、硅管和锗管的伏安特性曲线形状一样，那只是为了便于理解。如果把数值标在坐标上就能看出区别，两种管子的正向导通电压分别是0.6和0.2v。实际上即使同类型的不同二极管，其伏安曲线也有很大区别。

5、也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同。

6、硅二极管的元件因数比锗二极管更高，具有更快的频率响应。硅通常在高频应用中具有互感和电容特性。硅二极管也具有较好的恢复特性和射极电子发射能力。因此，它们通常用于转换和整流器等应用，硅二极管能够快速切断和进行自我保护。

锗管耐压低，结受温度影响变化大，电流导通小，而硅管就不同了，结受温度变化影响极小，电流导通大，耐压高，除硅二三极管外，常用大电流二极管，可控硅管等，现代大规模集成电路，芯片，太阳能电池板等大量使用。

硅二极管的元件因数比锗二极管更高，具有更快的频率响应。硅通常在高频应用中具有互感和电容特性。硅二极管也具有较好的恢复特性和射极电子发射能力。因此，它们通常用于转换和整流器等应用，硅二极管能够快速切断和进行自我保护。

硅的禁带宽度比锗宽，因此受温度影响比锗小。2 硅的氧化物十分稳定，可以低成本的解决掩蔽层绝缘问题，因此可以实现平面的集成电路，而锗一般只有合金管，无法形成集成电路。

两种材料的都有。因为锗元素的电电导率比硅元素高，也易于扩散化生产，在高频电子器件中用锗材料多。但硅元素的物化性质很稳定，在一些高反压、大电流的电子器件中用硅材料的多。

1、稳压二极管按材料分类可分为锗管和硅管两大类。两者性能的区别在于：锗管正向压降比硅管小，锗管反向漏电流比硅管大，锗管PN结可以承受的温度比硅管低。(2)按用途分类二极管按用途分可以分为普通二极管和特殊二极管。

2、二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

3、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

4、根据结构不同，常把二极管分为点接触和面接触型两种。点接触型二极管由于接触面点小，不能通过大电流，故只适合用于小电流整流，又因为接触点小，所以极间电容量也很小，故适用于高频电路检波。

硅二极管和锗二极管（硅二极管和锗二极管的导通压降分别为）