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光电效应分为光电子发射、光电导效应和渗握光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应。
光电子发射:现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类,常见的元器件有LED(发光二极管)。
光电导效应:光启喊备敏电阻。
光伏特效应:光伏板(太阳能电池板)
PS:是的,所谓外光电效应是悄毁指现象发生在物体表面,而内光电效应则是发生在物体内部。光电子发射属于外光电效应,而其他两种则是内光电效应。
光电效应是指,当光线照射在金属表面时,金属中有电子逸出的现象,称为光电效应.逸出的电子称为光电子。
光电效应发生的原因是金属表面的电子吸收外界的光子, 克服金属的束缚而逸出金属表面。
如带电小锌球在紫外线照射下会失去负电荷带上正电。不同的金属发生光电效应的最小光频返手大率是不同的。
赫兹在1887年发现了光电效应。
光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应.前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应.后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应.
高中我们学习的那个光电效应是外光电效应.
光电导效应就是电导随光照而变化.基于这种效应的光电器件有光敏电阻和光敏二极管与三漏竖极管
光生伏特效应是光照引起PN结两端产生电动势的效应,基于光生伏特效应原理工作的光薯桥电器件有光电池.
光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象,在高于某特定频率的电磁波照射下,某些物质内部的电子吸收能量后逸出而形成电流,即光生电。
发裂和生光电效应的前提是光的频率必须超过金属的特征频率。爱因斯坦对光电效应的解释《关于光的产生和转变的一个启发性观点》获得了1921年的诺贝尔物理学奖。
分类
通常把光电效应分为三类:
1、外光电效应。在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称芹差为外光电效应。基于该效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
2、内光电效应。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应,又称光电导效应。基于该效应的光电器件有光敏电阻、光敏晶体管等。
3、半导体光生伏特效应。在光线作用下能使物体产生一定方向电动势的称为半导体光生伏特效应。基于该效应的光电器件有肆首盯光电池。
现象:光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象,在光的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电 .光电现象由德国物理学家赫兹于1887年发现,而正确的解释为爱因斯坦所提出.科学家们对光电效应的深入研究对发展量子理论起了根本性的作用.
原理:
1905年,爱因斯坦提出光子假设,成功解释了光电效应,因此获得1921年诺贝尔物理奖.光照射到金属上,引起兄弊物质的电性质发生变化.这类光变致电的现象被人们统称为光电效应(Photoelectric effect).光电效应分为光电子发射、光电导羡启族效应和光生伏特效应.前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应.后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应. 赫兹于1887年发现光电效应,爱因斯坦第一个成功的解释了光电效应(金属表面在光辐照作用下发射电子的效应,发射出来的电子叫做光电子).光波长小于某一临界值时方能发射电子,即极限波长,对应的光的频率叫做极限频率.临界值取决于金属材料,而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关,这一点无法用光的波动性解释.还有一点与光的波动性相矛盾,即光电效应的瞬时性,按旁纳波动性理论,如果入射光较弱,照射的时间要长一些,金属中的电子才能积累住足够的能量,飞出金属表面.可事实是,只要光的频率高于金属的极限频率,光的亮度无论强弱,光子的产生都几乎是瞬时的,不超过十的负九次方秒.正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位(即光子或光量子)所组成.光电效应里电子的射出方向不是完全定向的,只是大部分都垂直于金属表面射出,与光照方向无关.光是电磁波,但是光是高频震荡的正交电磁场,振幅很小,不会对电子射出方向产生影响.光电效应说明了光具有粒子性.
光电效应是一个很重要而神奇的现象,简单来说,具体指在一定频率光子的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,从能量转化的角度来看,这是一个光生电,光能转化为电能的过程。
光电效应的公式:hv=ek+w。
其中,hv是光频率为v的光子所带有的能量,h为普朗克常量,v是光子的频率,ek是电子的最大初动能,w是被激发物质的逸出功。
一、光电效应的基本性质
1、每一种金属在产生光电效应时都存在极限频率,或称截止频率,即照射光的频率不能低于某一临界值。相应的波长被称做极限波长,或称红限波长,当入射光的频率低于极限频率时,无论多强的光都无法使电子逸出。
2、光电效应中产生的光电子的速度与光的频率有关,而与光强无关。
3、光电效应的瞬时性。实验发现,即几乎在照到金属时立即产生光电流,响应时间不超过十的负九次方秒( 1ns )。
4、入射光的强度只影响光电流的强弱,即只影响在单位时间单位面积内逸出的光电子数目。
二、光电效应的逸出功
逸猛正出功指的是,光照射金属时,电子从金属表面逃逸必须要克服束缚而做的功。
常用单位是电子伏特eV,金属材料的逸出功不但与材料的性质有关,还与金属表面的状态有关,在金属表面涂覆不同的闹毁材料可以改变金属逸出功的大小。当外界的光能量低于逸出功时,不会发生光电效应。
三、理解光电效应需注意的几个地方
1、体现的是粒子性。
2、光电效应的发生条件是光子频率必须大于等于截止频率,即光子能量要够大。
3、光电效应发生时间极短,没有滞后。
4、一个光子对应一个电子,激发出来的叫光电子。
5、光的强度增加,指的是单位时间内的光子个数增加。光强的增加会增加电流的大小,不会增加电子的初动能。
扩展资料:
光电效应现象是赫兹在做证实麦克斯韦的电磁理论的火花放电实验时,偶然发现的,而这一现象却成了突破麦克斯韦电磁理论的一个重要证据。
爱因斯坦在研究光电效应时给出的光量子解释,不仅推广了普朗克的量子理论,证明波粒二象性不只是能量才具有,光辐射本身也是量子化的,同时为唯物辩证法的对立统一规律提供了自然科学证据,具有不可估量的哲学意义。
这一理论还为波尔的原子理论和德布罗意物质波理论奠定了基础,密立根的定量实验研究不仅从实验角度为光量子理论进行了证明,同时也为波尔原子理论提供了证据。
1905年,爱因斯坦把普朗克的量子化概念进一步推广。
他指出,不仅黑体和辐射场的能量交换是量子化的,而且辐射场本身就是由不连续的光量子组成,每一个光量子的能量与辐射场频率之间满足ε=hν,即它的能量只与光量子的频率有关,而与强度(振幅)无关。
根据爱因斯坦的光量子理论,射向金属表面的光,实质上就是具有能量ε=hν的光子流。
如果照射光的频率过低,即光子流中每个光子能量较小,当他照射到金属表面时,电子吸收了这一光子,它所增加的ε=hν的能量仍然小于电子脱离金属表面所需要的逸出功,电子就不能脱离开金属表面,因而不能产生光电效应。
如果照射光的频率高到能使电子吸收后其能量足以克服逸出功而脱离金属表面,就会产生光电效应。此时逸出电子的动能、光子能量和逸出功之间的关系可以表示成:光子能量-移出一个电子所需的能量(逸出功)=被发射的电子的最大初动能。
即:Εk(max)=hv-W0,这就是爱因斯坦光液知备电效应方程。
参考资料来源:百度百科:光电效应
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