可控硅控制方式（可控硅控制方式有几种）

发布时间：2023-08-11

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1、调功调压的概念是一样的。都是通过调整可控硅的导通角来改变加热电路的电压来实现控温。主要控制是通过仪表的芯片，根据PID或其他参考值来输出控制脉宽，来改变可控硅的导通程度而实现。不同于通断控制。

2、交流调压是利用晶闸管（可控硅）的开关特性替代老式的接触调压器、感应调压器和电抗器调压，用晶闸管（可控硅）实现交流到可变交流之间的变换叫交流调压。其主要用于温度控制，灯光控制以及交流电动机调压速等领域。

3、指代不同双向可控硅：是在普通可控硅的基础上发展而成的，不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。单向可控硅：是一种可控整流电子元件。

4、可控硅具有硅整流器件的特性能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制，被广泛应用于可控整流、交流调压、尤触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

可控硅控制方式（可控硅控制方式有几种）

1、用以下方法plc控制可控硅调压。西门子有专用高速模块，固定扫描时间为1微秒，完全可以满足要求，型号是FM352。或者正负有压差，并且门级有控制电压，用PLC控制门级就行，并不是很难的。

2、用可控硅就要用到二位式pid，一般plc不提供这个功能。那么就需要人为将pid输出值转化为占空比脉冲信号触发可控硅。你需要的配置是晶体管输出plc，模拟量输入模块。

3、用PLC的0-10V输出信号，可以控制，但是要经过电路板转换成晶闸管触发信号，大概0.6V左右的电压。简单一点配置一台单相变频器。通过0-10V输出信号，很容易控制风机速度。

4、在交流的正半周时，整流电路通过电阻r1，可变电阻w1对电容充电。当充电电压t1管的峰值电压up时，管子由截止变为导通。于是电容c通过t1管的e1，b1结和r2迅速的放电，结果在r2上获得一个尖脉冲。

你好：作用在控制极的是电流。控制可控硅导通角大小的是电容的充电时间。追问你好。我还是不懂图一中没有电容，是通过切换不同的串联电阻，从而改变控制极电流大小来控制可控硅来使电机变速，怎么看都没有改变导通角。

单片机实现时，首先得到交流零点信号，然后采用延时的方式（定时器中断输出或PWM输出）控制可控硅的输出。根据传感器的反馈值来修改导通角度。实现恒定的输出要求。算法多采用PID。在网上找一下，相关的介绍就知道如何处理了。

控制变压器的输出抽头的触点，可以通过继电器，接触器，可控硅等实现。可以通过变频器原理的调压技术，实际上就是一个可调输出电压的逆变器。要控制可控硅的导通角要首先有过零检测电路。过零检测可以采用比较器实现。

通过改变可控硅控制极的交流电压的高低，就达到了控制可控硅导通角大小的目的。