mos管推挽（mos管推挽驱动电路在切换时电流增大）

发布时间：2023-08-11

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因为MOS管主要是要电压信号推动，对于电流放大的要求不高，所以我看这两种都可以。但是其中，下面的是射随器的接法，可能输入阻抗要高些，个人喜欢下面的下面的方法。

A电路是共集电极互补推挽电路，也就是互补推挽型电压跟随器，无电压增益，这种电路突出的特点是输出阻抗低，带负载能力强，常用做恒压输出电路。

当三极管处于导通状态时，推挽电路会把电流从输入端推到输出端。当三极管处于断开状态时，推挽电路会把电流从输出端挽回到输入端。通过控制三极管的导通状态，就可以控制电流流动的方向。这就是推挽电路的工作原理。

这是个自激式振荡电路。原理大致这样：接通电源后，流经两管的电流同时快速上升，但由于两管参数及电阻的差异，其中一个管会提前达到饱和。

mos管推挽（mos管推挽驱动电路在切换时电流增大）

1、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

2、区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

4、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

5、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

1、首先看负载是不是有短路的，没有的话就拆掉上管，然后检查对应的电源芯片是不是正常，还有上管的G级最好示波器看看等。烧管一般多是控制级有问题或者你换的管不对或者负载有短路等。

2、P-MOS 场效应管 AO4409 【栅极 → 漏极】之间的耐压为 10V ，当电源电压 B+ 超过 10V 时就有可能击穿了。

3、通电的MOS场效管通电的介资纯度不够，导制电阻变大，温度升高，我们知道，超导现现象是在低温下实现的，所以在低温下，导电介质是低阻抗的，一旦通电由于通电介质纯度不高，电阻很高，P=U*I*R，就会烧坏管子。

4、因为所属此MOS管对应供电部分有短路，这样会使场场效应管超负荷工作，从而造成软击穿(即肉眼观察无烧痕)或硬烧毁。例如：中央处理器短路也会造主板MOS管烧掉。有短路保护设计的则可以避免。机箱电源也是同理。

5、推挽电路的功率消耗主要在三个位置：mos管，变压器，二极管。mos管一定要选好参数，mos管本身的压降损耗，还有它的一个导通损耗和断开损耗，如果开关频率提高，它的损耗就会加大。变压器一定要绕好，尽量多股绕，降低损耗。

6、输入正负极搞错了，场管的内置二级管瞬间烧坏，没有软驱动电路，启动瞬间由于次级反馈电路电压尚未建立，PWM工作于失控状态，如果场管没有专用的保护电路，场管将于PWM失控状态下工作，瞬间烧毁。