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二极管的管压降是指二极管的正向电压降。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向压降，在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3 V。
有两种二极管，一种是锗管，正向压降为0.3伏，一种是硅管，正向压降为0.7伏。
二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。
二极管恒压降就是正向导通时，不管外电压多大，电流多大，在二极管上的压降维持不变。在二极管恒压降模型中，只考虑二极管PN结的内建电场的作用， 不把二极管看做有电阻的。
二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。
二极管的管压降就其本质而言还是一个电阻，只是导通的时候电阻很小，不导通的时候接近无穷大，而导通时候的电阻会分担一定的电压，所以叫管压降。
管压降是指二极管导通之后，二极管两端的电压差。门槛电压是指二极管刚好导通时两端的电压差。
■对于普通二极管，就是它在电路中有电流流过时它两端的正向压降，对锗二极管一般是0.3V左右，对硅二极管一般是0.7V左右。如果电流较大，它是稳定值，如果电流较小，这个值也会小一点。
一般来说，二极管的压降一般是指二极管的正向压降，锗管为0.3V，硅管为0.7V，稳压管反向运用时是它的稳压值，把二极管串于电路中使电路的电压减去它压降值得电压，达到降压的目的。
二极管的压降是0.7V，低于这个电压二极管是不会导通的，高于这个电压，则会导通。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。
什么二极管都能降压，因为二极管在正向导通的时候，其两端会有一定的电压降，不同类型的二极管其正向压降不一样，一般在0.5V~0.7V范围内。
什么二极管都可以降低电压，因为二极管在导，它的两端会有一定的压降，不同类型的二极管其正向压降不同，一般在V0．5V～0．7范围内。
Zener二极管、TVS二极管。Zener二极管：Zener二极管是一种利用反向击穿效应来实现稳定电压的二极管，其在反向电压达到某个特定值时，会出现反向击穿现象，导致电流急剧增大，从而使得电压稳定在一个固定的值上。
常用的1N系列的二极管大部分都是硅二极管，它们单个的正向压降一般都在0.6~0.8V，具体大小跟流过它们的工作电流的大小有关。你可以用1N4007来降压，该管是现在常用的二极管。单个正向压降在0.7~0.8V。
二极管可以降压，工作时会有一定的压降，很少用发光二极管来稳压。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。
理想二极管正向导通时其降压为：硅材料二极管的压降0.7 V；锗材料二极管为0.3 V。
硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。
.6V左右；微安级，试验测量结果在20- 300微安之间。硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
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