sic开关器件（sic开关频率）

发布时间：2023-08-12

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b、集电极电流Ic（或 Ie ）、管压降 Ube和 c-e 间电压 Uce称之为静态工作点Q，常将Q点记作IBQ、ICQ（或IEQ）、UBEQ、UCEQ。

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。

静态测试是指不运行被测程序本身，仅通过分析或检查源程序的语法、结构、过程、接口等来检查程序的正确性。静态测试主要采用白盒测试方法。对需求规格说明书、软件设计说明书、源程序做结构分析、流程图分析、符号执行来找错。

稳定静态工作点首先要稳定Ic 的值。测量静态工作点实际上就是测静态时Ic的值。因为基极电位Ub=Ube+Ue 保持恒定，故Ue增大使Ube 减小，引起Ib 减小，从而使Ic 相应减小，抑制Ic因温度升高而增大，即稳定了静态工作点。

通常用来描述静态特性的指标有：测量范围、精度、灵敏度、稳定性、非线性度、重复性、灵敏闽和分辨力、迟滞等。每个用于测量的检测仪器都有规定的测量范围，它是该仪表按规定的精度对被测变量进行测量的允许范围。

测试装置的静态特性指标有：灵敏度；非线形度；回程误差。

sic开关器件（sic开关频率）

1、SiC比GaN和Si具有更高的热导率。根据电子产品世界资料显示，SiC比GaN和Si具有更高的热导率，意味着碳化硅器件比氮化镓或硅从理论上可以在更高的功率密度下操作。

2、与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。

3、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）同属于第三代半导体。第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。

1、SiC热导率是si的3倍，SiC材料优良的散热性有助于提高器件的功率密度和集成度。

2、目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸，而用于功率器件的硅晶圆以8英寸为主，这意味着碳化硅单晶片所产芯片数量较少、碳化硅芯片制造成本较高。

3、就上述三种材料来讲，Si的带宽为12eV属窄禁带半导体，GaAs和SiC为宽紧带半导体材料，材料的一些主要性能都由它们的带宽和能带结构决定，所以应从能带论入手。

4、宽禁带材料吧，比如SiC、GaN、金刚石等等。什么是宽禁带材料：众所周知，电子要想突破原子核束缚成为自由电子，是需要能量的。Si材料大约需要12电子伏特(eV)，而宽禁带半导体材料需要3eV左右的能量。

5、因此，在高开关频率下，SiC-MOSFET比Si-IGBT效率更高。

双极型器件，是指在器件内部电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件这类器件具有通态压降低、阻断电压高和电流容量大的特点。适合中大容量的变流装置。

功率二极管（Power Diode）：用于电路中的整流、保护和逆变等方面。功率MOSFET（Power MOSFET）：金属-氧化物-半导体场效应晶体管，主要用于功率放大、开关和调节等应用。

电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。

晶闸管（可控硅），它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型（控制导通、自然关断）电力电子器件，门极可关断晶闸管（GTO）属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR)，属于电流控制电流全控型电力电子器件。

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。