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1、我们知道MOS管是压控器件，不同于三极管是流控器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流（电荷）的，原因是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，如图4所示。
2、因为它们是电压形器件，对电压很明感。比如人体产生的静电又是高达上万伏。早已超出了管子的耐压值。是管子损坏。
3、MOS的体积小，输入电阻大，噪声低，功耗低，易于集成。这些性能远比三极管要好，三极管的关键问题在于管子损耗太大，效率低。
仅对单片机而言，这些好像都没有意义，IO口有上拉电阻，周边电路有的有上拉电阻，有的需要下拉电阻，有的需要限流电阻等等。
P0口内部没有上拉电阻，不在外部加上拉电阻，若外部悬空时，读到的电平很随机，可高可低。
P0的第二功能是用作数据总线用的，单片机如果有内部上拉就会在空闲时把数据总线拉到高电平了，而数据总线的电平需要根据外部总线来决定，所以P0口是三态门结构，具有高阻态。
反而是，应该给IO口，加上上拉电阻。因为，51 单片机的IO口，输出高电平的能力很差。这是因为引脚内部结构的原因。如果使用《低电平》来驱动三极管，就应该在《之间》加限流电阻。
输入电容突然增大，所以导致了充电电压的一个平台，有时甚至会有一个下降尖峰趋势平台（如上图），而这个平台增加了MOS的导通时间，造成了我们通常所说的导通损耗。其实米勒效应描述的就是电子器件中输出和输入之间的电容反馈。
理查德·米勒(Richard Mille)的所有表壳，从不可能弯曲的酒桶到大型圆形表壳，甚至鲜为人知的方形表壳都在这里生产。唯一的例外是蓝宝石表壳，该表壳来自外部供应商。
这主要是因为指数函数有一个非常重要的特征，就是“无记忆性”。这个性质比较抽象，就拿百度百科的回答数来举例子好了。
当B增加时引起线圈内的磁通量发生改变，进而产生感应电流。
再关闭气门，开始压缩冲程。这么简单的控制一个气门开闭的时机就制造了膨胀比大于压缩比的效果，因此相比传统的奥托循环发动机，废气蕴含的能量得以再次充分利用，这也就是为什么现在车企们都喜欢用米勒循环发动机的原因之一。
米勒实验没有开始和结束，实验本身是模拟的自然界的循环过程。烧瓶底的水模拟的是海洋，煮水模拟的是海洋表面的水分蒸发产生大气中的水蒸气。
MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。
）一般判断增强型、耗尽型；当 Ugs = 0 时，Id 不等于 0，即是其绝对值大于 0 的，就是耗尽型，反之就是增强型；增强型的 Ugs 曲线不过 0，耗尽型的 Ugs 曲线必过 0；2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。
电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
1、通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前，首先需要了解一个概念，场效应管是压控型器件，它区别于双极型晶体管（流控型器件），场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零。
2、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
3、很简单，看转移特性曲线所分布的象限即可。如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。
4、你需要注意的是学会看两个图，一个是转移特性曲线，还有一个是输出特性曲线。
关键词：输入电容 电容 mos管 上拉电阻 输入电阻 内部电阻 电阻 下拉电阻 驱动三极管 电力mos管 拉电阻 寄生电容
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