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关于三极管be间电压的信息

发布时间：2023-08-12
阅读量：29

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晶体管be间电压问题

如果我给它加1V的电压，导通后be间的电压是0.7V或者略高一点，必要是你需要串联电阻来分压。因为晶体管每个PN结的反向阻挡层（结电场）的破坏电压就只有0.7V左右，超过这个电压，PN结就认为是导通了。

按环路电压定义电压降等于电压升ui=u（Rb)+u（be），你的公式不正确。0.7V只是硅三极管的饱和电压，0.3V是导通电压，ui小于0.3V三极管截止，大于0.7V三极管饱和，Rb决定了静态工作点。

三极管工作要两个电源，如果be开启，而ce不加电压，那be就像一个加电的二极管。如果be开启，只要ce加上很小的电压，50~100毫伏，就可工作。

当外加电压小于门槛电压值时，BE是关断的没有电流。当外加电压大于门槛电时，BE开通，有电流流过，所加电压越高，电流越大，此时BE间呈现低阻状态，BE间电压只是微高于门槛电压。

首先“听说vbe之间所加的电压最高不能超过1伏”这种说法不对。

三极管加入小信号后BE两端的电压是多少

ce的电压：vce=vcc-vc-ve=vcc-ice*rc-ve=12-34*2k-1=23(v）。

Ube的电压基本固定，是0.7V。输入为固定电压时，由于隔离电容的存在，相当于没有输入。

三极管开：B极电压0.65V左右，C极0.1V左右，甚至更低，E极为零；三极管关：B极电压低于0.5V，甚至更低，C极接近于电源电压，E极为零；以上是实际经验数据，请参考。

在三极管电路中，对于硅管而言Ube一般都在0.65V左右，当然这是在正常工作时是这样，这是三极管的be结的特性所决定的，不存在你说的（只是个初始值的范围）。所以在对电路估算时，这个数值可直接使用。

我什么我给三极管基极加了800k的电阻,be之间的电压还是2.3V,菜鸟求传...

1、如果输入电压U提高 R上的电压也会提高，B与E之间的电压基本保持不变。

2、如果BE之间有电阻，且BC间也有电阻，分析这两个电阻很有可能是偏置电阻，为三极管提供稳定的静态工作点。

3、如果你的固定电阻选取的阻值过大（比如10K，100k)，那么它分得的电压也会增大，就使三极管一直导通，发光二极管常亮。另外在本电路中三极管就是作为一个开关管来用，有通和断两种状态。通就是饱和导通，会是发光二极管亮。

4、V，如果没有这个电阻，你的三极管关不断。建议你这个上拉电阻再改小一些，使当I/O输出3V时VB＞5V 也就是（5-3）*2/（2+1）=46V，在温度较高时容易形成ICB电流使三极管导通。

三极管be间最大电压如何定

1、工作于放大状态时，最大工作电压是400V；工作于开关状态时，最大工作电压是700V。由此可见，三极管的最高工作电压，应根据电路要求和不同三极管的特性参数确定，不能一概而论。

2、准确一点应该说是调节BE结的偏置电流。BE节的电压基本维持在0.7伏（硅），变化很小的。B极一般都会连接两个电阻串联的偏置电路，调节其中一个（一般是B极接地的那个)电阻。

3、实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。

4、一般电压是加到CE结上的。BE结上的电压大小决定三极管的工作方式，一般反偏处于振荡，正偏小于0.7V处于放大，大于0.7V处于饱合导通。第二个问题 ， 这么连接首先就是不对，因为二极管的压降是0.7V左右。

5、使用数字万用表的二极管档测量：如果红笔接B，测量BC、BE之间的电压都是0.7V左右，这个三极管是NPN型的。如果黑笔接B，测量BC、BE之间的电压都是0.7V左右，这个三极管是PNP型的。

共射集放大电路中三极管工在饱和区时BE电压和CE电压分别是多少?_百度...

1、三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。

2、三极管处于放大状态下，各级的具体电压与集电极电流和电源电压有关，但其中B极电压比E高0.6-0.7V，CE之间的压差大于1V。

3、NPN管饱和时，由于be的钳位作用，那么Vbe=0.7V那是肯定的(准确地说是Veb)；而NPN管饱和时C、E虽然最大限度地导通，理论上相当于开关的完全闭合。

三极管在一般状态,深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少?(数电,数电...

1、锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏，硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。晶体管的饱和压降与其导电类型无关，主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。

2、当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。

3、三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

4、这个要看具体类型的，一般来说，总的规律是，小功率三极管这个电压会小一些，但大功率三极管，这个电压不小。饱和是一种状态，有程度深浅之分，而衡量深浅的重要标志就是这个UCE。

5、三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC，所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。

关键词：偏置电阻 硅三极管 三极管电路 电容的 两个电阻 三极管截止 三极管的饱和 三极管饱和 电阻 隔离电容

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