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关于三极管be间电压的信息

发布时间:2023-08-12
阅读量:29

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晶体管be间电压问题

如果我给它加1V的电压,导通后be间的电压是0.7V或者略高一点,必要是你需要串联电阻来分压。因为晶体管每个PN结的反向阻挡层(结电场)的破坏电压就只有0.7V左右,超过这个电压,PN结就认为是导通了。

按环路电压定义电压降等于电压升ui=u(Rb)+u(be),你的公式不正确。0.7V只是硅三极管的饱和电压,0.3V是导通电压,ui小于0.3V三极管截止,大于0.7V三极管饱和,Rb决定了静态工作点。

三极管工作要两个电源,如果be开启,而ce不加电压,那be就像一个加电的二极管。如果be开启,只要ce加上很小的电压,50~100毫伏,就可工作。

当外加电压小于门槛电压值时,BE是关断的没有电流。当外加电压大于门槛电时,BE开通,有电流流过,所加电压越高,电流越大,此时BE间呈现低阻状态,BE间电压只是微高于门槛电压。

首先“听说vbe之间所加的电压最高不能超过1伏”这种说法不对。

三极管加入小信号后BE两端的电压是多少

ce的电压:vce=vcc-vc-ve=vcc-ice*rc-ve=12-34*2k-1=23(v)。

Ube的电压基本固定,是0.7V。输入为固定电压时,由于隔离电容的存在,相当于没有输入。

三极管开:B极电压0.65V左右,C极0.1V左右,甚至更低,E极为零;三极管关:B极电压低于0.5V,甚至更低,C极接近于电源电压,E极为零;以上是实际经验数据,请参考。

在三极管电路中,对于硅管而言Ube一般都在0.65V左右,当然这是在正常工作时是这样,这是三极管的be结的特性所决定的,不存在你说的(只是个初始值的范围)。所以在对电路估算时,这个数值可直接使用。

我什么我给三极管基极加了800k的电阻,be之间的电压还是2.3V,菜鸟求传...

1、如果输入电压U提高 R上的电压也会提高,B与E之间的电压基本保持不变。

2、如果BE之间有电阻,且BC间也有电阻,分析这两个电阻很有可能是偏置电阻,为三极管提供稳定的静态工作点。

3、如果你的固定电阻选取的阻值过大(比如10K,100k),那么它分得的电压也会增大,就使三极管一直导通,发光二极管常亮。另外在本电路中三极管就是作为一个开关管来用,有通和断两种状态。通就是饱和导通,会是发光二极管亮。

4、V,如果没有这个电阻,你的三极管关不断。建议你这个上拉电阻再改小一些,使当I/O输出3V时VB>5V 也就是(5-3)*2/(2+1)=46V,在温度较高时容易形成ICB电流使三极管导通。

三极管be间最大电压如何定

1、工作于放大状态时,最大工作电压是400V;工作于开关状态时,最大工作电压是700V。由此可见,三极管的最高工作电压,应根据电路要求和不同三极管的特性参数确定,不能一概而论。

2、准确一点应该说是调节BE结的偏置电流。BE节的电压基本维持在0.7伏(硅),变化很小的。B极一般都会连接两个电阻串联的偏置电路,调节其中一个(一般是B极接地的那个)电阻。

3、实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简单,BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通,故Ube只能是0.7V左右,另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。

4、一般电压是加到CE结上的。BE结上的电压大小决定三极管的工作方式,一般反偏处于振荡,正偏小于0.7V处于放大,大于0.7V处于饱合导通。第二个问题 , 这么连接首先就是不对,因为二极管的压降是0.7V左右。

5、使用数字万用表的二极管档测量:如果红笔接B,测量BC、BE之间的电压都是0.7V左右,这个三极管是NPN型的。如果黑笔接B,测量BC、BE之间的电压都是0.7V左右,这个三极管是PNP型的。

共射集放大电路中三极管工在饱和区时BE电压和CE电压分别是多少?_百度...

1、三极管一般状态,饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时,电压压差也应该恒定(只是饱和时和一般状态的具体值不一样,饱和时压差低一些)。

2、三极管处于放大状态下,各级的具体电压与集电极电流和电源电压有关,但其中B极电压比E高0.6-0.7V,CE之间的压差大于1V。

3、NPN管饱和时,由于be的钳位作用,那么Vbe=0.7V那是肯定的(准确地说是Veb);而NPN管饱和时C、E虽然最大限度地导通,理论上相当于开关的完全闭合。

三极管在一般状态,深度饱和状态时各极之间的压降分别是多少?(数电,数电...

1、锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏,硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。晶体管的饱和压降与其导电类型无关,主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。

2、当三极管处于放大状态时,基极电压比发射极电压高约一下PN结压降(0.6V左右),集电极电压处于电源电压与发射极电压之间(一般来说至少比发射极电压高1V)。

3、三极管饱和导通时的压降硅管0.7V,锗管0.3V。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。

4、这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小。饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE。

5、三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。

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