mos管igss（mos管引脚）

发布时间：2023-08-12

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MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。

现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。

①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。

N60-ASEMI的最大漏源电流为5A，而漏源击穿电压为600V。这种型号的二极管是一种N型场效应管，其具有较高的开关速度、低正向电阻以及高可靠性。此外，它也能够承受较大的电流，并且具有很好的耐久性。

CS7N60是场效应管，电子开关电源中常用。工作参数电流，工作电压差不多的型号就可以代替。下面是CS7N60的参数。

最多600V。场效应管是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。

康佳电视场效应管7N60B可以用2sk2645管子进行代换。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

这个不是场效应管，是IGBT，场效应管和大功率三极管的结合体。先看管脚图：先用电阻档测，G和E之间，G和C之间是开路的，正反向电阻都是无穷大，有短路说明击穿。

1、静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。

2、IPB107N20N3G功率MOSFET的基本性能参数 IPB107N20N3G是一款高性能的功率MOSFET，具有低导通阻抗、高开关速度和高耐压等特点。

3、SPW47N60C3的基本性能参数 SPW47N60C3是一款高性能的功率MOSFET，具有优异的电气性能和热性能。它的主要参数包括：最大漏极电流为47A，最大漏极-源极电压为600V，最大导通电阻为0.19欧姆，以及最大结温为175℃。

4、是的，IPB60R950C6是一款高性能的功率晶体管，它采用了最新的MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和低开关损耗等优点，适用于高效率的开关电源和逆变器等应用。本文将从其特点、应用、参数和优势四个方面进行详细阐述。

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