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1、自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。
2、不过要求2A电流的话，图示的MOS管已经到达上限了，除非有充足的降温措施，不然稳定性不够，还是换用更大封装的管子会比较好。
3、）使用光耦，光耦后端加接12V限流电路。如果对驱动能力没有太大要求就可以简单的采用此方法，既实现了单片机的低压与12V高压的隔离也同时实现了5V PWM提升至12V PWM，小信号下比较可靠。
4、这要看继电器线圈的电阻和电源电压。可以考虑用ULN2003A驱动，它适用的电压范围广，电流单路可达500毫安。要用一个电源转换成多个电源，可用隔离电源模块，网上搜一下，规格很多的。
5、见下图！考虑到单片机输出电压为5V，继电器驱动为12V，为简化电路，采用NPN型三极管驱动。但是，由于单片机高电平驱动能力一般较弱，要求三极管基极电阻稍大。
1、MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。
2、CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。
3、所以该电路逻辑式为：Z=ACD+BCD。
4、MOS型：CMOS、NMOS、PMOS（主要用于数字逻辑电路系统）双极型：TTL，ECL（Emitor-coupled logic：设计耦合逻辑门）混合型：BiCOMS：主要用在射频系统。
5、此电路功能为三输入与门形式，输入为A，B，C，输出为Y。
6、mos管构成与门、或门、与非门和或非门如下图，从中可以看出，与门和或门由两级电路构成，且用的器件较多，即影响速度又降低集成度，所以用与非门和或非门多。
1、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。
2、用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。
3、单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。
1、输出尽可能大的功率。本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。
2、该电路由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成，图1所示是其组成框图。
3、Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。
输出尽可能大的功率。本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。
该电路由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成，图1所示是其组成框图。
从MOS管的主要特性可知，MOS管电路不但工作的基本条件依赖于直流偏置，其使得MOS管一直工作在一个固定直流工作点上，而电路的功能只要是处理交流信号，例如对于交流电的信号放大。
Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。
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