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背栅MOS管（mos管的栅极电压是多少伏）

发布时间：2023-08-13
阅读量：22

本文目录一览：

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?

1、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

2、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

3、MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

4、解析：你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。

5、mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。

NMOS的背栅是什么型半导体?

NMOS管的衬底是__P___型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位___低___的电位上。

NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。

N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS。

mos管的作用及原理

1、MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。

2、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。

3、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

4、由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

5、一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

6、mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

阈值电压影响因素

1、第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅(栅氧化层)中的电荷Qss以及电荷的性质。

2、背栅的掺杂 backgate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂越多，它的反转就越难。如果想要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调节。

3、通道长度调制效应：通道长度调制效应是指在MOSFET通道长度较小的情况下，由于电场效应的影响，通道中的电子浓度会受到影响，从而导致阈值电压的变化。当通道长度减小时，电子浓度的变化会导致阈值电压的变化。

4、温度方面，电磁干扰方面。温度方面，封装会对芯片内部的温度产生影响，升高的温度导致晶体管的阈值电压下降，使其更容易导通。

5、原则上与一般MOSFET的阈值电压一样，主要是受到氧化层厚度、衬底掺杂浓度和氧化层中以及界面上电荷的影响；不过，VDMOSFET的衬底掺杂浓度基本上就是扩散的表面浓度，因此需要注意控制好。

6、一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，gate材质和电介质中的过剩电荷。每个因素都会被简单的介绍下。Bakegate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果backgate越重掺杂，它就越难反转。

PMoS衬底接高电压,VBS增加,则阈值怎么变化?

对器件而言，衬底偏置电压的存在，将使MOS晶体管的阈值电压的数值提高。对NMOS，VTN更正，对PMOS，VTP更负，即阈值电压的绝对值提高了。γ为衬底偏置效应系数，它随衬底掺杂浓度而变化，典型值：NMOS晶体管，γ=0.7～0。

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

对于以多晶硅为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。可见，在正常条件下，很容易得到增强型PMOS管。为了制得增强型NMOS管，则需注意减少Qss、Qox，增加QB。

要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂能通过在gate dielectric表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。考虑一下Vt调整implant对NMOS管的影响。

而阈值电压的升高又将进一步影响到器件的IDS及其整个的性能，例如栅极跨导降低等。衬底掺杂浓度越高，衬偏电压所引起的空间电荷面密度的增加就越多，则衬偏效应越显著。

关键词：电解电容 mic 电容 可变电阻 电阻 耦合电容 背栅MOS管 电容器

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