2n65高压mos管（高耐压mos管）

发布时间：2023-08-13

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可以试试BT131 97A8 MCR100-8 等管子代换，注意脚位。

可以。场效应管第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

cs12n65参数及代换，12n65参数，电流12A，电压650V，可用20n65代换。根据查询相关公开信息显示，CS12N65沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

做一个声光控制器的话，1瓦功率的管子特别好找，但是耐压要高，我在晚上查一下手册之后回答你。可以用2N6558，2N6559都行。300V，0.5A，2W，硅NPN.也可以用国产管：3DK204E，3DK204F 场效应管可以用，但是比较贵。

这是2A，650V 的N沟道功率MOSFET场效应管，因为是TO252封装（如下图），中间那个引脚就是这样的。SMD2N65常用于电源，PWM马达控制，DC到DC转换器等电路。

JCS12N65CT是N沟道MOS场效应管，它的主要参数是650V 12A，可以代换的型号较多，比如12N70，700V，12A，2SK1466，900V20A，2SK1489，1000V，12A等等。

1、N65的TO-262封装系列。它的本体长度为4mm，加引脚长度为23mm，宽度为2mm，高度为7mm。12N65的特性有：低固有电容、优异的开关特性、扩展安全操作区、无与伦比的栅极电荷：Qg= 44nC（典型值）等。

2、静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。

3、最大功耗(PD)：320W 开启延迟时间(td(on))：181NS 关断延迟时间(td(off))：255NS 二极管正向电压(VF)：9V 工作温度：-55~+150℃ 二极管反向恢复时间(trr)：55NS 引线数量：3 MP40N120场效应封装系列。

1、法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

2、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

3、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

4、从而实现DC/AC、DC/DC电压变换，以及输出电压可调和自动稳压。作为在开关电源芯片中起稳压作用的mos管，应该具备低电荷、低反向传输电容以及开关速度快的特性，才能使电源较好发挥，详参飞虹电子。

5、MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

2n65高压mos管（高耐压mos管）