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尖峰电压，是单位电荷在静电场中由于电势不同所造成的。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
当主管关断后，这部分能量会与主管的输出电容形成谐振，在输入电压叠加了反射电压后，再谐振出一个尖峰。
有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。
漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。
V或48V的平台，都有选用75V的MOS。220V的交流，一般选600V或900V的MOS。MOS当开关电源使用，电感上的电压为锯齿波形，但是是平滑而不带尖峰的。
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。根据查询相关公开资料显示：mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。
以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断，它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来，由Crss和Ciss分压。
消除开关电源输出高频尖峰纹波：在MOS管脚套上磁珠， 磁珠的磁滞回线，最好是矩形的、高磁导率的。 估计套普通的镍锌磁珠，效果不理想。
消除尖峰电流：在MOS管脚 套上磁珠。 磁珠的磁滞回线 最好是矩形的、高磁导率的。 估计套普通的镍锌磁珠，效果不理想。
等过了这个时间段，就可以正常的开关MOSFET了大幅度降低MOS漏感尖峰的有效方法（一般可以降低50V以上）：降低漏感；采用慢速缓冲二极管；在缓冲电容上串联小电阻；次级采用软启动电路。
1、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。
2、这是过载了，芯片进入了降频保护模式。5V输出电压下降很快，大约在十几秒后降至不足1V。不过此时mos管两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。
3、mos管应力是指mos管子工作时承受的电压应力。测量管子最大电压应力一般在输出短路瞬间在D、S极产生个尖峰电压值，用最小环路法测量。设计要求这个值不能超过管子承受最大的电压值，并留有余量。
4、RCD电路都是为了解决MOS管在截至期间的由于电感存在而产生的反肩峰值，这样的反肩峰电压不被吸收，就会影响到MOS的反向耐压的问题，副边绕组的纹波等。希望认真了解RCD的作用，就可以举一反三的理解以上电路的工作原理。
1、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
2、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
3、MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。
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