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1、三极管进入饱和状态,其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关,而且明显随UCE增大而增大,IC《IB。
2、三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V),而UCES=0.3V,可见,UBE>0,UBC>0,也就是说,发射结和集电结均为正偏。
3、三极管运用于饱和状态时,只要Ib大于(2倍以上)Ic/HFE,计算Ic时就与Ib无关,只需Vcc/RL就行了。RL为负载电阻,如继电器线圈的直流电阻、指示灯的电阻等。
1、从电压上描述是:三极管发射结正向偏置, 集电结零偏置或正向偏置;Ube ≈ 0.7 V,Ubc ≥ 0 V 。从电流上描述是:基极电流乘以放大倍数大于集电极电流:Ib * β Ic ≈ Vcc / Rc,电源电压除以集电极电阻。
2、饱和的条件:集电极和电源之间有电阻存在,且越大就越容易管子饱和;基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低,从而出现b较c电压高的情况。
3、三极管属于电流型控制元器件,也就是小电流控制大电流,其有三个工作区间:截止区、放大区和饱和区。
4、三极管进入饱和状态,其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关,而且明显随UCE增大而增大,IC《IB。
5、NPN三极管饱和的条件是UBUE,UBUC,这没错。因为UBUE=0.7V三极管才能导通;当三极管饱和导通后,Uec在0.2V-0.3V左右,那么0.7V-0.3V=0.4V。即UBUC=0.4V-0.5V。图中由于U1是电源,那么U1=6V是不变的。
6、三极管工作在饱和区的条件是发射结正偏,集电结正偏。根据查询相关资料显示:三极管工作在饱和区基极电流足够大,集电极和基极,基极和发射极的的PN结都正偏的情况下。
1、uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压,s代表saturation。uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。此外,三极管的工作状态有三种:截止状态、放大状态、饱和状态。
2、这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小。饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE。
3、要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。
在晶体三极管中,发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,就是晶体管饱和区。在此区域内,VCEVBE,βIBIC,VCE≈0.3V 。
饱和的含义:集电极电流是随着基极电流的增大而增大的,当集电极电流增大到一定程度时,再增加基极电流,集电极电流不再随着增加了,这种现象就叫做饱和。
管的作用使Ic增大,这就是Ic达到饱和了。所以把这个区域叫饱和区。
三极管的饱和状态是要看基极与集电极的电压关系来判断的。
饱和的实质正是由于集电结正偏而使Ic脱离了与Ib的线性关系(请复习三极管构造)。三极管的饱和状态,是包括Ic趋于0的状态的,这一点请自已体会、理解。
在晶体三极管中,发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,就是晶体管饱和区。在此区域内,VCEVBE,βIBIC,VCE≈0.3V 。
由于三极管本身的工艺要求,三极管基极电流有一个上限值,不可能无限增大,因此你这种观点是错误的。三极管在饱和状态时基极电流对集电极电流的影响很小,其主要与CE间的电压有关。当UceUbe时,三极管进入饱和状态。
三极管在深度饱和的状态下,Ic = β Ib 的关系不成立,三极管的发射结和集电结都处于正向偏置,导电的状态下,在电路中犹如一个闭合的开关。所以相当于短路。Ic-Uce输出特性曲线斜率趋近于无穷大,也就是电阻接近为零。
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