mos管输出（mos管输出的是电压还是电流）

发布时间：2023-08-14

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本文目录一览：

1、MOS管的Pd与输出功率是什么关系?
2、MOS管S极输出电压不够,该怎么修改
3、哪位老师知道mos管650v,75A的管子能工作输出多大功率?
4、在数字电路中mos管工作在输出特性的什么区域
5、请问MOS管和三极管是不是都是输入和输出反相?请大家教教我;

MOS管的Pd与输出功率是什么关系?

1、PD代表的是功率耗散.耗散功率就是某一时刻电网元件或全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。耗散功率，也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。

2、PD是指器件允许的最大消耗的功率，是在Tj=25度定义的，一般可由Pd=I*I*Rdson得到在实际应用中，PD是指所有功率损耗的和，所以开关损耗只是Pd中的一部分。

3、场效应管耗散功率最大可承受输出功率理论上和输出功率的关系，在单端甲类时是输出功率的2倍、互补推挽时等于输出功率。实际使用留有余量。

mos管输出（mos管输出的是电压还是电流）

MOS管S极输出电压不够,该怎么修改

1、把电阻RS接到场馆的漏极（D极）与正电源之间即可。这样G极加上3~4V即可导通，RS上即可得到36V电压。

2、要解释你的问题，首先要了解MOS管的工作原理。MOS管与一般晶体三极管是不同的。它是电压控制元件，它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻。在栅极施加不同的电压，源-漏极之间就会有电阻的变化，这就是MOS管的工作原理。

3、有可能是电压不够，也有可能是电流不够。看看是不是你的MOS管的功率问题。

4、功能要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。

5、在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。

哪位老师知道mos管650v,75A的管子能工作输出多大功率?

NF75的参数：80A，75V，160W。

MOS管大功率和小功率也只是一个相对的说法，就比如我们平时说高个子可能是7，8，也可能是9；那矮个子可能是4，5，也可能是7，8，对于高度为0的人来说。

看什么拓扑了，反激电路100W左右吧，正激200W以下，半桥可以做300W，全桥可以500-600W，和变压器以及做的人、输入电压===有关。

你也没指出是P沟道还是N沟道的MOS管，列出点给你参考吧。

MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

在数字电路中mos管工作在输出特性的什么区域

1、数电中，MOS管相当于开关，工作于可变电阻区或截止区：其工作于可变电阻区时，相当于开关闭合，其工作于截止区时，相当于开关断开。

2、在数字电路中工作在导通区或截止区，在模拟电路中三种状态都可能出现：导通区、放大区、截止区。

3、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

4、电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

5、MOS管的4个工作区，你说的不是很确切。应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。

请问MOS管和三极管是不是都是输入和输出反相?请大家教教我;

1、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

2、阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

3、作用不同 MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

4、不一样。MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。MOS管比较抽象，是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙，很少教。MOS管特别怕静电，要是不小心，就容易坏，比三极管要难使用。

5、它的输入电流都是零。所以也就不需要提供输入特性曲线了。不同于MOS管，普通的三极管（BJT）的输入回路是一个PN结，它有正向导通和反向击穿特性。所以BJT手册里面有输入特性曲线，而MOS管手册里面没有输入特性曲线。

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