行业资讯
丝印为AISHB,属于P沟道MOSFET场效应管。
主要参数
晶体管好蠢类型 : P沟道MOSFET
最大功耗PD : 1.25W
栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值)
漏源电压VDS :-20V(极限值)
漏极电流ID:TA=25°时:-2.3A,TA=70°时:-1.5A
通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
栅极漏电流IGSS:±100nA
结温:55℃to+150℃
封装:SOT-23(TO-236)
替代型号:WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
封装肢锋类型:SOT-23
品牌:CJ
型号:SI2301
材料:硅(Si)
应用范围:友饥陪功率。
没提到VDS的要求,最大的如VISHAY的:SI2333CDS :最大可以-5.1A,在VGS -0.45V;
SI2377EDS 可以到-4.4A。
电流:电流(current)是表示电流强弱的物理量,通常用字母 I 表示,它的单位是安培,符号 A ,也是指电荷在导体中的定向移动。
导体中的自由电子在电场力的作用下做有规则的定向运动就形成了 电流。 电源的电动势形成了电压,继而产生了电场力,在电场力的作用闭扰下,处于电场内的电荷发生定向移动,形成了电流。电流的大小称为电流强度,是指单位时间内通过导线某一截面的电荷量,每秒通过贺态此1库仑的电量称为1(A)。安培是国际单位制中所有电性的基本单位。 除了A,还有千安(禅迅kA)毫安(mA)、微安(μA) 。1A=1000mA=1000000μA,电学上规定:正电荷定向流动的方向为电流方向。电流微观表达式I=nesv,n为单位时间内通过导体横截面的电荷数,e为电子的电荷量,s为导体横截面积,v为电荷速度。
ASEMI低消没压MOS管SI2302的参数为:最大码码电压为30V,最大电流为4A,Rds(on)为迟桥哪0.14Ω,漏极极容为2.7nF,能耗为1.8W,最大功耗为5.5W。
查了一下A2的代码,SOT-23封装的都是二极管,没有MOS管,倒是A02有哦
⒈☞关于以上相同的S0T23,三极管和mos管承受的功率一样吗,向这兆贺判问题,那首先你得知道那mos管的具体族改型号,然后根据mos管的型号,才能可以查到该mos的功率等参数,否拍指则很难搞定的。
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