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MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。
芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。
判定栅极G：将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。
1、在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
2、先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
3、上图为MOSFET桥电路，结构比较简单，不再赘述。强调一下，各个MOS管的GS极到GDT板之间的引线，尽可能一样长，但应小于10cm。必须采用双绞线。
4、导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
5、为什么当mos管 的gs没有电压后，ds依然连通。 看图吧。mos管测试好的，g和任何不连通，ds正》1反接0... 看图吧。
场效应管有三个电极，g（控制极）d（漏极）s（源极）。p20nm60是n道沟，20a，600v场效应管，正面放置，引脚朝下，从左到右，依次为gds，三个电极。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
方法是：黑表笔接G极，红表笔接S极，然后红表笔不动，黑表笔接D极，你会发现场效应管开通了，就是有很小的阻值了，说明管子在正常工作了。
G、D、S是场效应管的三个极。G极为栅极（控制极）D极为漏极（供电极）S极为源极（输出极）而B、C、E是三极管的三个极。
G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
栅极，源极，漏极。mos管的三个电极之间有一个沟道，称为沟道效应，正确顺序为栅极，源极，漏极，在大多数的半导体器件中，由于制造工艺的限制，沟道的宽度都比较窄。
用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。
G D S分别是栅极 漏极 源极，通过GS之间的电压，控制DS之间是否导通，建议百度文库 mos，有详细的文档。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
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