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1、常用的 4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光 可以上华强北IC代购网看看，里面做的都是原装现货IC。
2、光电耦合器的种类较多，常见有光电二极管型、光电三极管型、光敏电阻型、光控晶闸管型、光电达林顿型、集成电路型等。如下图1（外形有金属圆壳封装，塑封双列直插等）。
3、常用光电耦合器有4种类型：普通型应用广泛高速型采用光敏二极管和高速开关管复合结构，既有高响应速度，又保持较高的电流传输比。
4、光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。常用的4N系列光耦属于非线性光耦 常用的线性光耦是PC817A—C系列。
，驱动电流一般在2~20mA 2，对普通光耦来说，一般不提输入电阻。
它的判断方向是逆时针。光耦是一种能够隔离电路、传递电信号和完成电气与光学信号转换的元器件。在光耦器件中，输入端和输出端分别由发光二极管和光敏三极管组成。光耦的方向有两个点，分别是输入端和输出端。
贴片光耦封装尺寸为间距是5MM，宽度是 5MM，焊盘大小是2MM * 0.8MM长*宽，贴片指的是在PCB基础上进行加工的系列工艺流程的简称，PCB（Printed Circuit Board)为印刷电路板。
指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。光电效应判断法仍以EL817光耦合器的检测为例，检测电路如图2所示。
脉冲上升时间tr，下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有： 正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
1、不会。光耦有信号单向传输性，从而实现输入端与输出端的电气隔离，即输出信号对输入端无影响，具有工作特性稳定、传输效率高等优点，所以不会影响效率。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
2、这是因为当CTR50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流（IF0mA），才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。
3、如果电流过大，可能会导致光耦过载或无法正常工作。因此，选择合适的光耦以及充分考虑光耦的额定电流和功率能力，对于确保变频器的稳定性和安全性非常重要。
4、相互不产生影响。使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。普通光电耦合器只能传输数字信号（开关信号），不适合传输模拟信号。
5、三极管和光耦哪个开关快，光耦通过光的耦合来控制开关，三极管开关导通电压硅管0.7锗管0.3V，开关速度上要慢于光耦，应该说光耦的开关速度比三极管要快。
世纪前期，半导体异质结构和量子结构材料仍将是光电功能材料研发的主流。以硅材料为主体、化合物半导体材料及新一代高温半导体材料共同发展的局面在21世纪将成为集成电路产业发展的主流。
此时，相当于光耦隔离的是数字量，可以消除光耦非线性的影响。这是一种有效、简单易行的模拟量传输方式。当然，也可以选择线性光耦进行设计，如精密线性光耦TIL300，高速线性光耦6N135/6N136。
工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。
光耦816和817的差别：输出部分的耐压不一样：PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。
关键词：二极管的特性 线性光耦 光敏三极管 常用的线性光耦 光电二极管 光耦 电阻 光电三极管 17光耦 光敏二极管 输入电阻 普通光耦 817光耦 非线性光耦 绝缘电阻 贴片光耦 发光二极管 二极管正向压降
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