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1、由于场效应管的结构原因,G极与S极之间存在一个小电容,在场管截止期间,通过R12对这个小电容放电。
2、因为每种型号的MOS的结电容都不一样,虽然MOS是电压驱动元件,但是还是需要电流的,所以高结电容容量的MOS需要的驱动电流也大,反过来就小电流一些。
3、应该正向导通,反向电阻无穷大。此时,剩下的就是g级,用R*1K档,黑表笔接g,红表笔接s,在g,s间充电,然后再将黑表笔接d,表指针会偏转,然后慢慢返回,说明管子是好的。
4、MOS管有电容效应,栅极串电阻是调节RC常数,控制管的开通延时,电阻上并联二极管,是为了及时让栅极的电荷释放掉,是管子正常关闭,这种二极管要用快恢复二极管。
5、电阻是抬高G的电压,避开场效应管死区工作点,使电路工作在最佳状态。
1、必须用CBB电容这类做开关管外的两臂,而这类电容的容量就有可能成为瓶颈。
2、我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。
3、如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
1、如图 R3必需要有,9540是常见的P沟道管,按下开关9540接通,断开开关9540截止。用N\P都可以做,具体用什么型号的原件根据具体电路决定。补充一下:一般场效应管栅、源极电压在4V左右才才能完全导通。
2、看电路图的箭头是指向哪里,箭头方向相反的电流就是导通,方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入,漏极D导通输出,N沟道相反。导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。
3、场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
4、这个提问全不全面!自激开关电源一般用三极管〔驱动功率大〕的比较多,而它激开关电源才是用场效应管〔驱动功率比较小〕的多,原因自激开关电源是正反馈震荡的,激历功率大这个你懂的,用功率三极管不怕 。
5、场效应管是压控器件,经常用做电力电子开关(不知道你学没学电力电子)他的工作原理和三极管基本一样,不过三极管分的是漏极D 栅极G 源极S就相当于三极管的集电极C 基极B 发射集E 他们一一对应的。
1、至于饱和。MOS管有更低的内阻。所以(D)答案更适合。
2、MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小。MOS是电压驱动,三极管是电流驱动。
3、MOS管是一个通过改变电压来控制电流的器件,有时候也被称为绝缘栅场效应管。近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管,之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势:输入阻抗高。
4、双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。
5、双极型晶体管和mos管有什么区别双极型晶体管与单极型晶体管(MOS管是其中一种)放大器的输入电阻差别很大,后者比前者要高好几个数量级。前者在放大时需要比较大的偏置电流,而后者对偏置电流的要求较低。
6、mosfet是指场效应管,它也是一种晶体管,它在任何地方使用或者放在仓库里躺着,都叫“场效应管”可见它的名称是固定的。也有许多电源根本不用场效应管,而用普通大功率晶体管。
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