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三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降ubes＝0.7v（锗管ubes＝－0.3v），而uces＝0.3v，可见，ube＞0，ubc＞0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。
测试三极管饱和压降VCE(sat)，顾名思义就是测试三极管在饱和状态时VCE的数值。具体到某一个型号的三极管，测它的饱和压降，有具体的测试条件。例如：2SC3852是一个低饱和压降的三极管。
小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。
但是没有深度饱和，也是可以工作的。最主要是你要明白需要什么性能，电路当前工作在什么状态，有时也有需要用肖特基钳位三极管防止达到深度饱和，这样可以比深度饱和更快点断开的。
三极管管压降就是指集电极与发射极的电压。一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
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