mos管栅极振荡（mos管栅极电阻的作用）

发布时间：2023-08-14

阅读量：32

本文目录一览：

1、如果控制G的GPIO的电压区域为8V，那么GPIO高电平的时候为8V，GS为8-8=-1V，mos管导通，不能够关断。GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-8=-7V，mos管导通。

2、确保电池有电或者直流电压有电压输出，将探针接到电池或者直流电正极，探头的夹子（也就是接地端）接到电池或者直流负极。当然接反也没有影响，就是波形显示的时候，会在示波器零电平的下方。

3、那种阻尼振荡只能减小，无法消除的。软开关技术也只能减很小，振荡还是有的。

4、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

5、米勒效应。Mos管的三极存在以下三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds。米勒电容指的是Cgd。

应该是电流模式的内环电流取样电阻，这个跟你的最大功率有关的。

三极管导通时，肯定输出低电平。三极管截止时，集电极相当于悬空了，电平不定，所以要加一个上拉电阻，这样输出高电平，这样NMOS的栅极得到的不是低电平就是高电平，才能正常工作在开关状态。

场效管的特点就是输入阻抗高，属于电压控制器件，所以，其栅极不必串电阻限流。有时候即使串了一个电阻，其目的也不是为了限流，而是对输入信号进行滤波或得到所需的频率特性。

有图吗？一般是用来分压，也就是给栅极与原极提供一个电压差。

限流，保证流过二极管的电流不大于二极管能承受的瞬间电流。

增大栅极电阻式可以起到减小震荡的幅度，但是并不是就说栅极电阻越大越好，栅极电阻大了，会增大MOS管的开启和关断时间，使得MOS管的功耗增大。再看看别人怎么说的。

栅极电阻太大了会与MOSFET的极间电容形成RC电路会严重印象MOSFET的充放电时间，造成MOSFET消耗功率过高，发热严重。

改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度，以及防止寄生电容和电感形成的振荡，减小输出电压尖峰，从而防止MOS管被烧坏。满意请采纳。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗湍，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

mos管栅极振荡（mos管栅极电阻的作用）