mos管soa曲线（mos管vgs和vds曲线）

发布时间：2023-08-15

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IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

)IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型；2)IGBT棚极结构：平面棚机构、Trench沟槽型结构；3)硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶。

IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR ， Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR 为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。

mos管soa曲线（mos管vgs和vds曲线）

1、MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。

2、）一般判断增强型、耗尽型；当 Ugs = 0 时，Id 不等于 0，即是其绝对值大于 0 的，就是耗尽型，反之就是增强型；增强型的 Ugs 曲线不过 0，耗尽型的 Ugs 曲线必过 0；2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。

3、电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

4、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

5、MOS的驱动，也许会有的人会讲，我有用低内阻大电流的MOS管，但为何还有蛮高的温度？这是MOS管的驱动部分没有做好，驱动MOS要有足够大的电流，具体多大的驱动电流，要根据功率MOS管的输入电容来定。

6、电阻。根据信息查询得到，处于饱和区的时候，mos管的沟道电阻为正温度系数，温度越高电阻越大，所以MOS管电流随温度下降。VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈。

离子交换柱的原理：采用离子交换方法，可以把水中呈离子态的阳、阴离子去除，以氯化钠（NaCl）代表水中无机盐类。

离子交换柱（ion exchange column）是用来进行离子交换反应的柱状压力容器。充填有离子交换树脂的细长管柱。可由玻璃、不锈钢、有机玻璃等不被所用的流动相腐蚀的材料制成。

离子交换柱主要是利用离子交换树脂中的离子同原水（液体）中的钙、镁及铁离子进行交换而将其去除，使水（液体）得到净化。

阴离子交换柱和阳离子交换柱都是常见的离子交换色谱柱，但是它们的工作原理和流出水的离子种类不同，因此流出水的电导率也不同。在阴离子交换柱中，固定相通常是带有正电荷的树脂，它可以吸附带有负电荷的阴离子。

另外，温度对树脂机械强度和交换能力有影响。温度低则树脂的机械强度下降，阳离子比阴离子耐热性能好，盐型比酸碱型耐热好。

离子的半径电荷等差异会影响它在离子交换柱上的移动速度，进而实现层析。