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另外,微波消解一般在密闭高压消解罐内进行,压力体系能产生过热现象(简单的说就是可以加热到比常压下沸点更高的温度),大大提高消解速度,并能消解一般湿法消解不能消解的样品。
因此,微波消解仪器所使用的频率基本上都是 245OMHz。微波的特性: (1) 金属材料不吸收微波,只能反射微波。(2) 绝缘体可以透过微波,它几乎不吸收微波的能量。如玻璃、陶瓷、聚四氟乙烯等,它们对微波是透明的。
这些物质都不会吸收微波的能量,或吸收微波极少。物质吸收微波的强弱实质上与该物质的复介电常数有关,即损耗因子越大,吸收微波的能力越强[2]。家用微波炉容器大都是塑料制品。
消解罐是有压力上线的,如果您使用的是中高压消解罐,且是温度控制,那么您罐加入消解液的体积一定要控制到要求的范围。否则当温度升到一定时样液在那么小的体积内又是在密闭状态下很容易超压而导致罐爆裂,很危险。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。
找出读书为数十欧姆的一对引脚,其中黑表笔为G极,红表笔为K极,空引脚为A极。检测双向可控硅同单向可控硅,找出数十欧姆的两个引脚,其为A1或者G极,空引脚为A2极。
双向可控硅的好坏可以用数字万用表或等效工具进行测量。首先需要将测试电路搭建好,并且开关处于关闭状态。然后将数字万用表转换为电阻测量模式,将其测试笔分别连接到双向可控硅的两端,记录下测试读数。
1、短路一下可控硅(+)到可控硅触发极,灯泡会保持点亮状态,这个可控硅是好的。当灯泡保持打开时:测量晶闸管两端的电压值,即晶闸管的电压降。电压越低越好;断开电源线,然后再连接,灯泡不会亮,除非按照前面的方法再次触发。
2、第一步是确定可控硅的引脚。可控硅一般有三个引脚,即正极、负极和门极。门极是控制可控硅导通和截止的关键。接下来,在数字万用表上选择电阻档位。
3、短路一下可控硅(+)到可控硅触发极,灯泡会保持点亮状态,这个可控硅是好的。灯泡保持点亮状态下:测可控硅两端的电压值,是可控硅节压降,越低越好;断一下电源线,再接上,灯泡就不亮了,除非再按前面的方法触发一下。
4、判断可控硅的好与坏最简单的方法:用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
5、看正负是否导通,同为坏。然后用表笔连接发射极,就是很细的那个导线。然后侧与正负极的导通。要是与一面通为好,要是不通或全通就坏。我忘记是与那极通了,反正我是这么测的。不过所有的连线都得撤开了测。
正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。
测量可控硅好坏的方法如下:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
单向可控硅用万用表的R乘1欧挡。用红黑笔测任意两引脚间的正反向电阻。找出读书为数十欧姆的一对引脚,其中黑表笔为G极,红表笔为K极,空引脚为A极。
可控硅测量好坏可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
判断可控硅的好与坏最简单的方法:用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
可控硅测量好坏可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
单向可控硅用万用表的R乘1欧挡。用红黑笔测任意两引脚间的正反向电阻。找出读书为数十欧姆的一对引脚,其中黑表笔为G极,红表笔为K极,空引脚为A极。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。
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