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mos管的反向耐压（mos管gs反向电压）

发布时间：2023-08-15
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...耐压多少伏特的MOS,具体是指MOS管的那些参数啊

比如，7V的锂电平台，MOS有用12V的，也有用24V的。36V或48V的平台，都有选用75V的MOS。220V的交流，一般选600V或900V的MOS。MOS当开关电源使用，电感上的电压为锯齿波形，但是是平滑而不带尖峰的。

首先需要说40V不是开启电压，开启电压又叫阈值电压，一般都在2-6V之间。如果有型号可以查它的各种参数，如果单看40V5A，一般指的的是漏源击穿电压40V，漏源额定工作电流5A。

mos管的额定参数耐压指Vds、耐流指Ids、最大耗散功率指Pm，是能长时间使用的数据。此外参数中还有最大值，这是不能长时间使用的数据。

mos管的作用及原理

1、MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。

2、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。

3、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

4、由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

反击电源内置mos的耐压多少

1、V。根据查询相关资料显示，为了保证MOS永远不会到耐压值，就选用600V耐压的反击电源内置MOS，留有余量，电路中最高反向电动势，钳位一旦超过600Vmos就会崩坏。

2、伏。根据查询知到题库显示，MOS场效应管漏极电压最高是500伏，MOS的耐压是600V，因此mos管漏端和衬底耐压差100伏。

3、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

如何测试功率mos管漏源反向耐压

1、用测电阻法判别无标志的场效应管：首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。

2、再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。

3、测试耐压用示波器的高压探头测试。具体测试MOS的D-S（漏极接+，源极接GND），把示波器调到直流档，看最大值和峰峰值（这两者中的最大值需满足要求）。

4、施加到栅极的电压（VG）控制从源极IS流到漏极ID的电流。在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。

5、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

6、第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。

场效应管MOS反向耐压怎么看?

选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。

然后红表笔不动，黑表笔接触D极，看指针表的摇摆幅度，幅度大说明管子已经开通工作了。

三极管的极限参数有那些呢?mos管的极限参数有那些呢?两者有相同的地方吗...

1、如何选择三极管的型号 只要参数有以下几个：最大反向耐压：BVCEO 也是管子的极限参数之一。

2、主要参数极限值如下：集电极电压Ucmax 它是允许加在三极管集电结上的最大反向电压。

3、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。

4、三极管的主要参数：特征频率：当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。

5、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

关键词：电容 耦合电容 mos管 可变电阻 电解电容 电容器 电阻 三极管的极

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