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维修可控硅电路是需要理论基础的，因为它即涉及电子电路技术又涉及高压带电操作的安全技术，如果没有把握就不要弄了，真的很危险的。
整流输出电压为直流电压：220V*0.9=198V；可以作为光控开关用，由于光敏电阻的阻值随光照度的增强而减小的变化趋势。但是图中的VS应该不是双向晶闸管，而是单向晶闸管，因为经过整流后的是直流电压，不能用到双向晶闸管。
．2 双向可控硅控制电路 由于负载一般为大功率器件（电压从几百伏至上千伏，电流从几安培至几十安培），因此，8031单片机工作部分与可控硅触发部分采用MOC3021双向可控硅输出型光电耦合器，图3为1路可控硅触发控制电路。
我用双向可控硅做过材料是：小收音机音频输出变压器一只、5耳机插头一个，双向可控硅一只，灯泡一个。
可控硅直接由交流220v变直流24v不合适，因为这样可控硅的导通角就要非常小，因此输出的直流脉动非常大，不适合一般电子电器电路的使用。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
1、您说的“三极管BTA08600C”是：双向可控硅，8A，600V。标识面向自己从左数，1脚、2脚均可接输入或输出，只需认定第三脚一定接控制电路即可。
2、双向可控硅，控制极所加的电压，一定要体现在可控硅的本身。图中三极管无论导通与否，其集电极上的电压都反映不到可控硅，所以可控硅不会被触发。
3、要确定是否能代换，先要确定原管的性能参数及品种类型 bta08-600C是双向可控硅，最大电流是8A，耐压600V，触发电流为B类（30mA)，只要性能参数与它一样或比它好的就可以代用。可代用BTA08-600B。
4、BT136 600E 电流：IT(RMS)=4A； ITSM = 25A ； 耐压：VDRM =600V；从上述数据说明：可以用BTA16-600B来代替BTA08-600B，只是大马拉小车而已。BT136 600E不能代替BTA08 600B，因为BT136600E的电流太小。
5、BTA0 600B是双向可控硅；8A电流，电压：600V。可以用BTA138，139代替。
可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
电阻R，电容C，二极管/发光二极管D、VD，三极管/可控硅V、VT，轻触开关S，蜂鸣器B，BZ，芯片IC、N，继电器J，变压器B、T，压敏电阻RT，保险丝F，光耦N，接插件J，电机D，天线T。
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
单向可控硅工作原理 可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
双向可控硅：是在普通可控硅的基础上发展而成的，不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。单向可控硅：是一种可控整流电子元件。
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
你好：——★单向可控硅主要应用在直流控制电路中；而双向可控硅是工作在交流电路中（也可以工作在直流电路中）的。
双向可控硅：是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。
滚筒洗衣机电机为串激电机，其内部带有交流测速发电机，调速电路可采用TDA1085C芯片构成闭环控制，实现了洗衣机电机的无级调速和速度的稳定。TDA1085C应用于洗衣机电机控制的基本电路如图2所示。
工作原理：由高频头将天线接收到的微弱调频信号进行放大和混频，混频后产生的31．5MHz伴音中频信号由IF端输出。
IC芯片(Integrated Circuit Chip)是将大量的微电子元器件（晶体管、电阻、电容等）形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。IC芯片包含晶圆芯片和封装芯片，相应 IC 芯片生产线由晶圆生产线和封装生产线两部分组成。
以图中上面的IC为例，将其外围的元器件作用介绍如下：RPI是电位器，通过调节其阻值大小让合适的信号输送到放大器。C1是输入信号藕合电容器，接通交变的信号（如音频信号）而隔断直流信号。
-不是画电路图，而是设计一个简单系统(帮帮忙) 题目如下：请设计一个简单温度测量电路，测量温度范围0-110°C，要求：选择较为合适传感器和电子元器件，实现温度的测量，显示，温度达到50°C报警等功能。急急急。谢谢帮忙。
本电路(见图1)是一种频率可调的移相式正弦波发生器电路，其频率稳定度通过实际测试为0.002％。该电路性价比高，用很便宜的几个元件在很宽的频段内，实现频率连续可调。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
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