光耦公式（光耦的主要参数）

发布时间：2023-08-15

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电阻计算公式是：R＝U/I，其中U表示电压，I表示电流；R＝ρL/S，其中ρ表示电阻的电阻率，是由其本身性质决定，L表示电阻的长度，S表示电阻的横截面积。

降低采样电压，使用小阻值降低采样功率，同功率下，阻值尽量大看似矛盾，其实很简单，并联多个精密金属膜电阻。

电阻r的公式是R=ρL/S。电阻定律是物理定律之一。导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就叫电阻定律(lawofresistance)，公式为R等于ρL除S。

光耦发光二极管导通电压不是一个定值，一是产品参数有离散性，二是发光二极管导通电压有温度系数。但是差别不是很大，如上图，就可以按2v这个典型值计算。计算限流分流电阻值时，根据限流电流值，参考以上参数计算。

当电阻并连时，总阻值等于各电阻的倒数之和再取倒数。再说电容，电容的主要参数是容量和耐压，具体应用中耐压也要留有余地，否则容易击穿。当电容并连时总电容等于各电容之和，耐压不变。

光耦公式（光耦的主要参数）

这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。

可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

很简单！使用MOC3020光耦，6脚串一个180欧左右的电阻接在可控硅的A1与G极之间即可。

R=(Vc-1)/If；限流+分流时，限流电阻：R=(Vc-1)/(If+Ir)，分流电阻：r=1/Ir。

反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

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光电耦合器参数。电流传输比：50%(最小值)。高隔离电压：5000V(有效值)。符合UL标准。极限参数。正向电流(ICEO)：50mA。峰值正向电流(ICE max)：1A。反向电压：6V。功耗：70mW。集电极发射极电压：35V。发射极集电极电压：6V。

最小工作温度：-55C度，最大工作温度：+100度。根据查询相关公开信息显示，光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V。

参数几乎一模一样，PC123反向耐压Vceo=70V，PC817反向耐压Vceo=35V略低，频率同为80KHz，所以可以试着替换，但有风险。

光电耦合器的主要参数有十多项，其中许多参数（如：最打工作电流、正向他压降、反响耐压、反向漏流及饱和压降等）与一般晶体二极管、三极管的意义是一样的，因此不再说明。