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1、MOS开关由GS电压空置SD闸。两个作用，1，GS电位突变变化保护作用。2，减少MOS震荡时间。
2、泄放电阻，防止静电击穿GS结以及把G极可能的残留电荷导向地。
3、开关电源是通过输出电流采样来，信号放大，再经过芯片内部的乘法器计算决定开关的导通，把在漏极加一个电阻这样采样电流变小，芯片会增大占空比输出电流变大 。
4、开关电源电路中电阻的选用，不仅仅考虑电路中平均电流值引起的功耗，还要考虑耐受最大峰值电流的能力。
mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K，那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。
mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。
泄放电阻，防止静电击穿GS结以及把G极可能的残留电荷导向地。
你用泄放电阻去泄什么？R2是一个分压电阻，作用是在Q1导通的时候保证MOSFET的栅极有足够的电压可以让MOSFET导通。因为电源电压为12V，所以Q1和Q2就选择耐压为30V以上的普通开关三极管NPN和PNP对管就好了。
因为电源电压为12V，所以Q1和Q2就选择耐压为30V以上的普通开关三极管NPN和PNP对管就好了。
首先确定你用的电源电压，比如15v，还有想要的集电极工作电流的范围，比如是0到10ma，这时候就可以确定集电极电阻和发射极电阻的总值了，即是：15v/10ma=1500欧姆。确定了总值，然后就是确定两个电阻分别是多少了。
所以：输入电阻=200K//0.753K=0.753K。约等于700欧姆。
1、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
2、因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。
3、Rds = R0 + (Vgs - Vth) / Id 其中：- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。
4、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
5、开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。
6、仿照普通三极管放大电路的做法，输出电阻等于RC。这里输出电阻等于RS。
MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。
静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。
1、这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。
2、此电路是缓冲电路，吸收电路尖峰，避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏。
3、MOS管的定义：场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P+表示，形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。 把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。
4、由问题可知你对MOS管还是有一定的了解。一般的回路图里，MOS管的源极接一个电阻，然后接地。此电阻一般很小，为毫欧级，主要用于电流采样，把电流讯号转化为电压讯号，用于监控回路电流。如还有疑问可把回路图贴出来。
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