行业资讯
1、各种常见元件在电路板上的字母分别为:电阻R,电容C,二极管/发光二极管D、VD,三极管/可控硅V、VT,轻触开关S,蜂鸣器B,BZ,芯片IC、N,继电器J,变压器B、T,压敏电阻RT,保险丝F,光耦N,接插件J,电机D,天线T。
2、电子元器件基础知识(1)——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
3、电容C 电感L 晶体管Q 集成电路IC 二极管D ,ZD一般标示稳压二极管,F保险管,M一般标示电机,LED发光二极管,B电池。BY喇叭。开关是K,继电器是J,变压器T,显像管CRT。
4、电流的大小和方向随时间变化的叫做交流。电流的单位是安(A),也常用毫安(mA)或者微安(uA)做单位。1A=1000mA,1mA=1000uA。 电流可以用电流表测量。测量的时候,把电流表串联在电路中,要选择电流表指针接近满偏转的量程。
5、以下列举的是电路板上常见的电子元件符号:1,B:电池(battery)。2,C:电容器(capacitor)。3,D或CR:二极管(diode)。3,F:保险丝(fuse)。4,IC:集成电路(integrated circuit)。5,L:电感(inductor)。
1、光电导效应,又称为光电效应、光敏效应,光照射到某些物体上后,引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。
2、内光电效应。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应,又称光电导效应。基于该效应的光电器件有光敏电阻、光敏晶体管等。半导体光生伏特效应。
3、光电导效应,又称为光电效应、光敏效应,是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。光生伏特效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。
4、由光产生的附加电导称为光电导,也称本征光电导。光能还可将杂质能级激发产生附加电导,称为杂质光电导。利用光敏效应可制成光敏电阻,不同波长的光子具有不同的能量,因此,一定的材料只对应于一定的光谱才具有这种效应。
1、光敏电阻是一种特殊的电阻,简称光电阻,又名光导管。它的电阻和光线的强弱有直接关系。光强度增加,则电阻减小;光强度减小,则电阻增大 当有光线照射时,电阻内原本处于稳定状态的电子受到激发,成为自由电子。
2、光敏传感器,又叫光敏电阻,是检测光线强弱的一种传感器,关照越强,则其电阻越小。车辆前大灯控制模块利用光敏传感器的这一特性,可以自动点亮或关闭前大灯。
3、光敏电阻器是一种对光敏感的元件,它的电阻值能随着外界光照强弱变化而变化。光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示,下图是其电路图形符号。图A表示的是新符号,图B表示的是旧符号。
1、第一部分:2--表示二极管。第二部分:材料及极性,A-锗N型;B-锗P型;C-硅N型;D-硅P型。
2、型号中的“1”,表示其是具有一个PN结的半导体器件(即二极管);字母“N”为美国EIA(电子工业协会)注册登记标志,带有该字母的二极管,表明其已在美国EIA注册登记;“4007”为该器件在美国EIA的登记号。
3、举例说明如 2CP10 二极管,此二极管的“2”表示二极管 “C”表示N型硅材料,“p”表示其为普通管,“10”表示其序号。通过识读可知,该二极限为N型普通硅材料二极管。
1、光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说,光电传感器由三部分组成,分别是发射器、接收器和检测电路。
2、光电传感器原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器在一般情况下,有三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路。
3、光电传感器的基本原理是物质的(电光反应)。
4、原理是光照度改变使光敏电阻阻值的改变,而引起光敏电阻两端电压的改变。电压变化信号通过传感器传到计数器上计数计时。光电门一端有个线性光源,另一端有个光敏电阻,门中无物体阻挡时光照射到光敏电阻上。
5、光电传感器工作原理光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。一般情况下,它是由发送器、接收器和检测电路三部分构成。
关键词:电子元器件 光耦 电传感器 电容 电阻 发光二极管 二极管三极管 光电器件 可控硅 稳压二极管 继电器 光电传感器 电容器 体电阻 保险丝 传感器 光电阻
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